“古伊多·阿尔贝曼”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于形成封装半导体装置的方法-CN202110310276.X在审
发明人：萨沙·默勒;古伊多·阿尔贝曼;米夏埃尔·策纳克 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：一种具有多个管芯的半导体晶片附接到支撑结构。所述半导体晶片包括在硅层上方的有效层，其中所述有效层在顶侧处，并且底侧暴露所述硅层。当所述晶片附接到所述支撑结构时，使红外激光束聚焦穿过所述硅层的一部分，以沿着位于所述多个管芯中的相邻管芯之间的锯线形成改性区。之后，在所述半导体晶片的所述底侧处的暴露的硅层上形成金属层。将所述金属层附接到扩展带，并且通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线分离来单切所述晶片。封装所述多个管芯中的第一单切管芯，以形成封装半导体装置。
用于形成封装半导体装置方法

[发明专利]用于处理集成电路的切割晶片的技术-CN202011106666.7在审
发明人：安托尼斯·亨德里库斯·尤立夫·坎菲斯;古伊多·阿尔贝曼;约翰尼斯·科布森 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于处理具有由下层划片胶带支撑的多个集成电路的集成电路/胶带组件的技术涉及：将所述集成电路/胶带组件放置在具有结构(例如，内缘或柔性栓钉)的底部文件框架载体(FFC)框架上；将具有中心开口的顶部FFC框架放置在所述集成电路/胶带组件上方；以及使所述顶部与底部FFC框架匹配，使得在所述结构上拉住所述划片胶带，由此横向拉伸所述划片胶带，这使得将所述集成电路保持在一起的晶片锯架断裂。所述划片胶带的横向拉伸增加了在至少两个彼此正交的横向方向上的邻近的集成电路之间的距离，由此阻止所述邻近的集成电路在装运或存储以供后续处理期间发生碰撞。所得组件可以比常规FFC配置更薄，这使装运和存储更高效。
用于处理集成电路切割晶片技术

[发明专利]晶片材料去除-CN201510916882.0有效
发明人：萨沙·默勒;托马斯·罗勒德;古伊多·阿尔贝曼;马丁·拉普克;哈特莫特·布宁 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一个示例公开了用于晶片材料去除的系统，该系统包括：晶片结构图，识别具有第一位置的第一器件结构和具有第二位置的第二器件结构；材料去除控制器，耦接至所述结构图，并且具有材料去除波束功率电平输出信号和材料去除波束接通/关断状态输出信号；其中，材料去除控制器被配置为选择与第一位置相对应的第一材料去除波束功率电平和第一材料去除波束接通/关断状态；并且其中，材料去除控制器被配置为选择与第二位置相对应的第二材料去除波束功率电平和第二材料去除波束接通/关断状态。另一个示例公开了一种物品，包括至少一个非瞬时性有形机器可读存储介质，该非瞬时性有形机器可读存储介质包含用于晶片材料去除可执行机器指令。
晶片材料去除

[发明专利]等离子蚀刻和隐形切片激光工艺-CN201510535505.2有效
发明人： 古伊多·阿尔贝曼;萨沙·默勒;托马斯·罗勒德;马丁·拉普克;哈特莫特·布宁 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：与示例实施例一致，一种用于从具有正面和背面的晶圆衬底制备集成电路(IC)器件管芯的方法，其中，所述正面具有有源器件所述方法包括：将晶圆的正面安装在保护膜上。以第一聚焦深度将激光施加到晶圆的背面的锯道区域以限定改性区；所述改性区被限定在有源器件边界内预定深度处，并且所述有源器件具有由锯道限定的边界。拉伸保护膜以将IC器件管芯彼此分离并暴露出有源器件侧壁。对有源器件侧壁进行干法蚀刻，使得改性区被基本移除。
等离子蚀刻隐形切片激光工艺

[发明专利]高裸芯片强度的半导体晶圆加工方法和系统-CN201310705423.9有效
发明人：萨沙·默勒;哈特莫特·布宁;马丁·拉普克;古伊多·阿尔贝曼;托马斯·罗勒德 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明描述了用于加工半导体晶圆的方法和系统的实施例。在一个实施例中，用于加工半导体晶圆的方法包括：在半导体晶圆上进行激光隐形切割，以在半导体晶圆内形成隐形切割层，在进行激光隐形切割之后，从半导体晶圆的背面用刀片清洁半导体晶圆，以去除至少部分隐形切割层。在本发明中还描述了其他实施例。
芯片强度半导体加工方法系统