[发明专利]用于形成封装半导体装置的方法

说明书

一种具有多个管芯的半导体晶片附接到支撑结构。所述半导体晶片包括在硅层上方的有效层，其中所述有效层在顶侧处，并且底侧暴露所述硅层。当所述晶片附接到所述支撑结构时，使红外激光束聚焦穿过所述硅层的一部分，以沿着位于所述多个管芯中的相邻管芯之间的锯线形成改性区。之后，在所述半导体晶片的所述底侧处的暴露的硅层上形成金属层。将所述金属层附接到扩展带，并且通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线分离来单切所述晶片。封装所述多个管芯中的第一单切管芯，以形成封装半导体装置。

技术领域

本公开大体上涉及集成电路，且更具体地说，涉及用于形成封装半导体装置的方法。

背景技术

在形成封装半导体装置时，首先将半导体晶片单切成多个管芯。然后使用多种封装类型来封装这些管芯。使用锯片的锯切通常用于单切晶片，然而，此类锯切可能会在单切期间损坏管芯，例如使得管芯的前侧或后侧上出现切屑。此外，许多晶片的前侧和后侧都需要加工，因此，任何切屑或损坏都可能会对晶片的两侧造成不利影响。

发明内容

根据一个方面，提供了一种用于形成封装半导体装置的方法，所述方法包括：将具有多个管芯的半导体晶片附接到支撑结构，其中所述半导体晶片包括在硅层上方的有效层，其中所述有效层在所述半导体晶片的顶侧，并且所述半导体晶片的与所述顶侧相对的底侧暴露所述硅层；当所述半导体晶片附接到所述支撑结构时，使红外激光束聚焦穿过所述硅层的一部分，以沿着位于所述多个管芯中的相邻管芯之间的锯线在所述硅层内形成改性区；在所述形成所述改性区之后，在所述半导体晶片的所述底侧处的暴露的硅层上形成金属层，使得所述改性区和半导体层在所述有效层与所述金属层之间；将所述金属层附接到扩展带；通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线分离来单切所述半导体晶片；以及封装所述多个管芯中的第一单切管芯以形成封装半导体装置。

所述方法另外包括：在所述将所述金属层附接到所述扩展带之后且在所述单切之前，去除所述支撑结构。

所述方法另外包括：在所述使所述红外激光束聚焦穿过所述硅层的所述部分之前，使所述暴露的硅层变薄。

使所述硅层变薄包括：研磨所述半导体晶片的所述底侧。

所述使所述红外激光束聚焦包括：沿着所述锯线扫描聚焦的红外激光束，以沿着所述锯线且平行于所述硅层的顶部表面和底部表面在所述硅层内形成所述改性区。

所述方法另外包括：使第二红外激光束扫描穿过所述硅层的第二部分，以沿着所述锯线且平行于所述硅层的所述顶部表面和底部表面在所述硅层中形成第二改性区，其中第一改性区位于所述第二改性区与所述有效层之间。

所述改性区的所述形成会沿着所述锯线在所述硅层中形成微小的预裂纹。

执行所述通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线分离来单切所述半导体晶片以使得：所述多个管芯中的所述管芯沿着所述硅层中先前形成的所述微小的预裂纹分离。

所述微小的预裂纹沿着所述锯线延伸穿过所述硅层的整个厚度。

在形成所述改性区之后，所述改性区包括多晶硅，并且所述改性区外部的所述硅层包括单晶硅。

所述支撑结构包括玻璃载体。

所述半导体晶片包括在所述有效层上方的钝化层，使得所述有效层在所述钝化层与所述硅层之间。

所述形成所述金属层包括将所述金属层溅镀在所述半导体晶片的所述底侧处的所述暴露的硅层上。