[发明专利]用于形成封装半导体装置的方法

权利要求书

1.一种用于形成封装半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

将具有多个管芯的半导体晶片附接到支撑结构，其中所述半导体晶片包括在硅层上方的有效层，其中所述有效层在所述半导体晶片的顶侧，并且所述半导体晶片的与所述顶侧相对的底侧暴露所述硅层；

当所述半导体晶片附接到所述支撑结构时，使红外激光束聚焦穿过所述硅层的一部分，以沿着位于所述多个管芯中的相邻管芯之间的锯线在所述硅层内形成改性区；

在所述形成所述改性区之后，在所述半导体晶片的所述底侧处的暴露的硅层上形成金属层，使得所述改性区和半导体层在所述有效层与所述金属层之间；

将所述金属层附接到扩展带；

通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线分离来单切所述半导体晶片；以及

封装所述多个管芯中的第一单切管芯以形成封装半导体装置。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，另外包括：

在所述将所述金属层附接到所述扩展带之后且在所述单切之前，去除所述支撑结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，另外包括：

在所述使所述红外激光束聚焦穿过所述硅层的所述部分之前，使所述暴露的硅层变薄。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，使所述硅层变薄包括：研磨所述半导体晶片的所述底侧。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使所述红外激光束聚焦包括：沿着所述锯线扫描聚焦的红外激光束，以沿着所述锯线且平行于所述硅层的顶部表面和底部表面在所述硅层内形成所述改性区。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，另外包括：

使第二红外激光束扫描穿过所述硅层的第二部分，以沿着所述锯线且平行于所述硅层的所述顶部表面和底部表面在所述硅层中形成第二改性区，其中第一改性区位于所述第二改性区与所述有效层之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述改性区的所述形成会沿着所述锯线在所述硅层中形成微小的预裂纹。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，执行所述通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线分离来单切所述半导体晶片以使得：所述多个管芯中的所述管芯沿着所述硅层中先前形成的所述微小的预裂纹分离。

9.一种用于形成封装半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

将具有多个管芯的半导体晶片的顶侧附接到支撑结构，其中所述半导体晶片包括在所述多个管芯中的相邻管芯之间的锯线并且包括在硅层上方的有效层，其中所述有效层在所述半导体晶片的所述顶侧处；

当所述半导体晶片附接到所述支撑结构时，使用红外激光束沿着所述半导体晶片的所述锯线在所述硅层中形成微小的预裂纹；

在所述形成所述微小的预裂纹之后，当所述半导体晶片附接到所述支撑结构时，在与所述半导体晶片的所述顶侧相对的所述半导体晶片的底侧处的所述硅层的暴露表面上形成金属层，使得所述微小的预裂纹延伸穿过所述硅层的厚度而位于所述有效层与所述金属层之间；

将所述金属层附接到扩展带并且去除所述支撑结构；

通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线中的所述微小的预裂纹分离来单切所述半导体晶片；以及

封装所述多个管芯中的第一单切管芯以形成封装半导体装置。

10.一种用于形成封装半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

将具有多个管芯的半导体晶片附接到支撑结构，其中所述半导体晶片包括在单晶硅层上方的有效层，其中所述有效层在所述半导体晶片的顶侧，并且所述半导体晶片的与所述顶侧相对的底侧暴露所述单晶硅层；

当所述半导体晶片附接到所述支撑结构时，穿过所述单晶硅层施加红外激光束以沿着位于所述多个管芯中的相邻管芯之间的锯线形成多晶硅改性区，其中所述多晶硅改性区形成于所述单晶硅层的顶部表面与底部表面之间；

在所述形成所述多晶硅改性区之后并且在所述半导体晶片附接到所述支撑结构时，在所述半导体晶片的所述底侧处的暴露的单晶硅层上形成金属层，使得所述多晶硅改性区在所述有效层与所述金属层之间；

将所述金属层附接到扩展带，使得所述金属层在所述扩展带与所述单晶硅层之间；

在所述附接所述金属层之后，去除所述支撑结构；

通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线分离来单切所述半导体晶片；以及

封装所述多个管芯中的第一单切管芯以形成封装半导体装置。