[发明专利]半导体结构和静电防护的测试方法有效
| 申请号： | 202110310166.3 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113078142B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 戴惠芳 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构和一种静电防护的测试方法，半导体结构包括：介质层，介质层具有正对的第一面和第二面；伪电连接层，伪电连接层位于第一面上；位于第一面上的电连接层，且电连接层与伪电连接层之间具有间隔；第一导电层，第一导电层位于第二面上，第一导电层与伪电连接层具有第一正对区域，且第一导电层、介质层与伪电连接层构成第一电容；第二导电层，第二导电层位于第二面上，第二导电层与电连接层具有第二正对区域，且第二导电层、介质层与伪电连接层构成第二电容，第二电容的电容量小于第一电容的电容量。本发明实施例有利于降低静电释放对电连接层的危害，以提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 静电 防护 测试 方法 | ||
【主权项】：
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