[发明专利]半导体装置及形成半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202110303986.X | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114464679A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 沈宇骏;任啟中;洪雅琪;林玉珠;江文智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/788;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及形成半导体装置的方法，在一些实施方式中，一或多个半导体处理工具可沉积第一介电层于半导体装置的基板上。一或多个半导体处理工具可沉积浮动栅极于第一介电层上。一或多个半导体处理工具可沉积第二介电层于浮动栅极上与半导体装置的基板上。一或多个半导体处理工具可沉积第一控制栅极于第二介电层的一第一部分上。一或多个半导体处理工具可沉积第二控制栅极于第二介电层的一第二部分上，其中第二介电层的第三部分位于第一控制栅极与浮动栅极之间以及位于第二控制栅极与浮动栅极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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