[发明专利]半导体装置及形成半导体装置的方法在审

申请号：	202110303986.X	申请日：	2021-03-22
公开（公告）号：	CN114464679A	公开（公告）日：	2022-05-10
发明（设计）人：	沈宇骏;任啟中;洪雅琪;林玉珠;江文智	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L29/788;H01L21/336;H01L29/423
代理公司：	北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置形成方法
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【说明书】：

一种半导体装置及形成半导体装置的方法，在一些实施方式中，一或多个半导体处理工具可沉积第一介电层于半导体装置的基板上。一或多个半导体处理工具可沉积浮动栅极于第一介电层上。一或多个半导体处理工具可沉积第二介电层于浮动栅极上与半导体装置的基板上。一或多个半导体处理工具可沉积第一控制栅极于第二介电层的一第一部分上。一或多个半导体处理工具可沉积第二控制栅极于第二介电层的一第二部分上，其中第二介电层的第三部分位于第一控制栅极与浮动栅极之间以及位于第二控制栅极与浮动栅极之间。

技术领域

本揭示内容是关于半导体装置及形成半导体装置的方法。

背景技术

晶体管是电子装置中的一种常见类型的半导体装置，其能够放大与/或切换电信号。晶体管可以配置有三个端(terminal)以接收一或多个电压的施加。施加至第一端的电压可以控制流过第二端与第三端的电流，其中第一端与栅极相关，第二端与源极电压相关，而第三端与漏极电压相关。

发明内容

本揭示内容的一些实施方式提供一种半导体装置，包含：一第一介电层，形成于半导体装置的一基板上；一浮动栅极，形成于第一介电层上；一第二介电层，位于浮动栅极上与半导体装置的基板上；一第一控制栅极，形成于第二介电层的一第一部分上；以及一第二控制栅极，形成于第二介电层的一第二部分上，其中第二介电层的一第三部分位于第一控制栅极与浮动栅极之间，并位于第二控制栅极与浮动栅极之间。

本揭示内容的一些实施方式提供一种形成半导体装置的方法，包含：沉积一第一介电层于一半导体装置的一基板上；沉积一第一栅极于第一介电层上；沉积一第二介电层于第一栅极上与半导体装置的基板上；以及沉积一第二栅极于第二介电层的一第一部分上，其中第二介电层的一第二部分位于第一栅极与第二栅极之间。

本揭示内容的一些实施方式提供一种形成半导体装置的方法，包含：沉积一第一介电层于一半导体装置的一基板上；沉积一第一浮动栅极于第一介电层的一第一部分上；沉积一第二浮动栅极于第一介电层的一第二部分上；沉积一第二介电层于第一浮动栅极上、第二浮动栅极上、与半导体装置的基板上；沉积一第一控制栅极于第二介电层的一第一部分上；沉积一第二控制栅极于第二介电层的一第二部分上；以及沉积一第三控制栅极于第二介电层的一第三部分上，其中第二介电层的一第四部分位于第一控制栅极与第一浮动栅极之间以及第二控制栅极与第一浮动栅极之间，以及其中第二介电层的一第五部分位于第三控制栅极与第二浮动栅极之间以及第二控制栅极与第二浮动栅极之间。

附图说明

本揭示的态样可由以下的详细叙述结合附图阅读来获得最佳的理解。应强调，根据工业标准实务，各特征并未按比例绘制，并且仅用于示意的目的。事实上，为了论述的清楚性，各特征的大小可任意地增加或缩小。

图1是一示例性环境的图，其内可实施在此叙述的系统及/或方法；

图2A-图2L是示出用于制造在此叙述的半导体装置的操作的顺序的图；

图3是根据参照图2A-图2L所叙述的示例性技术而形成的示例性半导体装置的图；

图4A-图4D是根据参照图2A-图2L所叙述的示例性技术而形成的示例性半导体装置的图；

图5是图1的一或多个装置的示例性组件的图；

图6与图7是有关于制造半导体装置的示例性制程的流程图。

【符号说明】

100:环境

102:沉积工具

104:蚀刻工具