[发明专利]半导体装置及形成半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一第一介电层，形成于该半导体装置的一基板上；

一浮动栅极，形成于该第一介电层上；

一第二介电层，位于该浮动栅极上与该半导体装置的该基板上；

一第一控制栅极，形成于该第二介电层的一第一部分上；以及

一第二控制栅极，形成于该第二介电层的一第二部分上，

其中该第二介电层的一第三部分位于该第一控制栅极与该浮动栅极之间，并位于该第二控制栅极与该浮动栅极之间。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二介电层包含：

一第一氧化物层，

一氮化物层，位于该第一氧化物层上，以及

一第二氧化物层，位于该氮化物层上。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

该半导体装置的该基板的一第一部分，配置为用于该半导体装置的一第一源极或漏极，

其中该基板的该第一部分从该第一控制栅极水平地移位，以及

该半导体装置的该基板的一第二部分，配置为用于该半导体装置的一第二源极或漏极，

其中该基板的该第二部分位于该第二控制栅极下方。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包含：

一第三介电层，形成于该半导体装置的该基板上，

一额外的浮动栅极，形成于该第三介电层上，以及

一第三控制栅极，形成于该第二介电层的一第四部分上，

其中该第二介电层的一第五部分形成于该第二控制栅极与该额外的浮动栅极之间以及该额外的浮动栅极与该第三控制栅极之间。

5.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包含：

沉积一第一介电层于一半导体装置的一基板上；

沉积一第一栅极于该第一介电层上；

沉积一第二介电层于该第一栅极上与该半导体装置的该基板上；以及

沉积一第二栅极于该第二介电层的一第一部分上，

其中该第二介电层的一第二部分位于该第一栅极与该第二栅极之间。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，还包含：

在沉积该第一栅极于该第一介电层上的后，沉积一光阻于该第一栅极上与该半导体装置的该基板的一第一部分上；

形成用于该半导体装置的一第一源极或漏极于该半导体装置的该基板的一第二部分上；以及

形成用于该半导体装置的一第二源极或漏极于该半导体装置的该基板的一第三部分上。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，沉积该第二介电层包含：

沉积一第一氧化物层，

沉积一氮化物层于该第一氧化物层上，以及

沉积一第二氧化物层于该氮化物层上。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，沉积该第二栅极包含：

沉积控制栅极材料于该第二介电层上；以及

执行电浆蚀刻于该控制栅极材料上，以形成该第二栅极。

9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，还包含：

形成一第三介电层于该半导体装置的该基板上；

形成一第三栅极于该第三介电层上；以及

形成一第四栅极于该第二介电层的一第三部分上，

其中该第二介电层的一第四部分形成于该第三栅极与该第四栅极之间。

10.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包含：

沉积一第一介电层于一半导体装置的一基板上；

沉积一第一浮动栅极于该第一介电层的一第一部分上；

沉积一第二浮动栅极于该第一介电层的一第二部分上；

沉积一第二介电层于该第一浮动栅极上、该第二浮动栅极上、与该半导体装置的该基板上；

沉积一第一控制栅极于该第二介电层的一第一部分上；

沉积一第二控制栅极于该第二介电层的一第二部分上；以及

沉积一第三控制栅极于该第二介电层的一第三部分上，

其中该第二介电层的一第四部分位于该第一控制栅极与该第一浮动栅极之间以及该第二控制栅极与该第一浮动栅极之间，以及

其中该第二介电层的一第五部分位于该第三控制栅极与该第二浮动栅极之间以及该第二控制栅极与该第二浮动栅极之间。