[发明专利]半导体装置和其形成方法在审
| 申请号： | 202110300680.9 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114975354A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 龚耀雄;赖朝文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置和其形成方法，半导体装置包括基板、位于基板上的金属比特线、位于金属比特线的相对两侧壁上的比特线间隔层、邻近金属比特线的接触件、位于接触件的相对两侧壁上的接触件间隔层、介于比特线间隔层和接触件间隔层之间的气隙、位于气隙上方的介电覆盖膜、位于介电覆盖膜上的间隔层，以及覆盖金属比特线、间隔层和接触件的覆盖层。其中，介电覆盖膜的下表面和接触件的上表面共平面，覆盖层接触介电覆盖膜。借此，本发明的半导体装置可避免装置中的覆盖层填入气隙中，从而维持气隙结构的完整性，以减少半导体装置中的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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