[发明专利]半导体装置和其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板；

金属比特线，位于所述基板上；

比特线间隔层，位于所述金属比特线的相对两侧壁上；

接触件，邻近所述金属比特线；

接触件间隔层，位于所述接触件的相对两侧壁上；

气隙，介于所述比特线间隔层和所述接触件间隔层之间；

介电覆盖膜，位于所述气隙上方，所述介电覆盖膜的下表面和所述接触件的上表面共平面；

间隔层，位于所述介电覆盖膜上；以及

覆盖层，覆盖所述金属比特线、所述间隔层和所述接触件，且所述覆盖层接触所述介电覆盖膜。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述介电覆盖膜包括旋涂式介电质或有机介电质。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述介电覆盖膜的厚度介于10纳米至50纳米间。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述气隙的宽度介于3纳米至7纳米间。

5.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板；

金属比特线，位于所述基板上；

比特线间隔层，位于所述金属比特线的相对两侧壁上；

接触件，邻近所述金属比特线；

接触件间隔层，位于所述接触件的相对两侧壁上；

气隙，介于所述比特线间隔层和所述接触件间隔层之间，其中所述气隙延伸至所述接触件间隔层上方；

间隔层，位于所述气隙上方，所述间隔层的下表面高于所述接触件的上表面；以及

覆盖层，覆盖所述金属比特线、所述间隔层和所述接触件，且所述覆盖层接触所述气隙。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述覆盖层延伸至所述间隔层下方，所述气隙的上部宽度不小于所述气隙的下部宽度。

7.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括：

在基板上形成金属比特线和接触件，所述接触件邻近所述金属比特线；

在所述金属比特线的相对两侧壁上形成比特线间隔层和在所述接触件的相对两侧壁上形成接触件间隔层，其中所述比特线间隔层和所述接触件间隔层之间包括间隙；

在所述金属比特线和所述接触件上形成介电膜，其中所述接触件上的所述介电膜接触所述比特线间隔层，使得气隙形成于所述比特线间隔层和所述接触件间隔层之间；

移除所述金属比特线上的部分所述介电膜；

在所述金属比特线和所述介电膜上形成毯覆间隔层；

移除所述金属比特线和部分所述介电膜上的所述毯覆间隔层，以在所述比特线间隔层的侧壁上形成间隔层；

图案化所述介电膜以形成所述气隙上方的介电覆盖膜，所述介电覆盖膜的侧表面和所述间隔层的侧表面共平面；以及

形成覆盖层覆盖所述金属比特线、所述间隔层和所述接触件。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述介电膜在固化前具有粘滞系数介于0.2cP至2.0cP间。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述间隔层在一方向上的厚度大于所述气隙在所述方向上的宽度。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括在形成所述覆盖层前，移除所述间隔层下的所述介电覆盖膜。