[发明专利]三维存储器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该方法包括以下步骤：提供第一衬底，第一衬底上具有第一堆叠体；形成贯穿第一堆叠体并间隔设置的多个浅沟槽隔离结构；在第一堆叠体远离第一衬底的一侧形成第二堆叠体，在第二堆叠体的台阶区中形成台阶结构；在第二堆叠体中形成沟道阵列以及伪沟道阵列，伪沟道阵列至少存在于台阶区，伪沟道阵列中与浅沟槽隔离结构对应的伪沟道结构位于浅沟槽隔离结构上。在台阶结构中刻蚀形成伪沟道阵列时，刻蚀能够停止在绝缘层而不会穿透至第一衬底，避免了伪沟道结构贯穿浅沟槽隔离结构至衬底而导致的衬底难以去除，进而只需要考虑伪沟道孔在作为刻蚀停止层的第一半导体层中的刻蚀深度即可，扩展了刻蚀的工艺窗口。