[发明专利]三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一衬底，所述第一衬底上具有第一堆叠体；

形成贯穿所述第一堆叠体并间隔设置的多个浅沟槽隔离结构；

在所述第一堆叠体远离所述第一衬底的一侧形成第二堆叠体，在所述第二堆叠体的台阶区中形成台阶结构；

在所述第二堆叠体中形成沟道阵列以及伪沟道阵列，所述伪沟道阵列至少存在于所述台阶区，所述伪沟道阵列中与所述浅沟槽隔离结构对应的伪沟道结构位于所述浅沟槽隔离结构上，

所述第一堆叠体包括沿远离所述第一衬底的方向顺序交替层叠的至少一层第一牺牲层和多层第一半导体层，

所述第二堆叠体包括沿远离所述第一衬底的方向顺序交替层叠的至少一层第二牺牲层和多层第一隔离层，在形成所述沟道阵列以及所述伪沟道阵列的步骤之后，所述制作方法还包括以下步骤：

将所述第一牺牲层置换为第二半导体层，并将所述第二牺牲层置换为控制栅结构，以形成沿远离所述第一衬底的方向顺序层叠的半导体层和栅极堆叠结构，在所述栅极堆叠结构中形成贯穿至所述半导体层的共源极，所述共源极贯穿至所述半导体层的端部位于相邻所述浅沟槽隔离结构之间。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二堆叠体中的绝缘层对所述第二牺牲层和所述第一隔离层的刻蚀选择比均大于1:1。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构为绝缘层。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述沟道结构插入至少一个所述第一半导体层中。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述共源极的步骤之后，得到具有存储器阵列的所述第一衬底，所述制作方法还包括以下步骤：

提供具有外围电路的第二衬底，将所述存储器阵列与所述外围电路键合。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在提供第一衬底的步骤中，所述第一衬底上还具有位于所述第一衬底与所述第一堆叠体之间的第三堆叠体，所述第三堆叠体包括沿远离所述第一衬底的方向顺序交替层叠的至少一层第三牺牲层和多层第二隔离层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在将所述存储器阵列与所述外围电路键合的步骤之后，所述制作方法还包括以下步骤：

将所述第三牺牲层与靠近所述半导体层一侧的所述第二隔离层剥离，以将所述第一衬底去除。