[发明专利]一种硼碳氮薄膜的制备方法在审

申请号：	202110276691.8	申请日：	2021-03-15
公开（公告）号：	CN113151803A	公开（公告）日：	2021-07-23
发明（设计）人：	吕燕飞;蔡庆锋;彭雪;赵士超	申请（专利权）人：	杭州电子科技大学
主分类号：	C23C16/36	分类号：	C23C16/36;C23C16/52
代理公司：	杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240	代理人：	杨舟涛
地址：	310018 浙***	国省代码：	浙江;33
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摘要：	本发明公开了一种硼碳氮薄膜的制备方法，本发明采用氨硼烷作为氮、硼源，甲烷作为碳源，氢气和氩气混合气体为载气，铜或镍金属薄膜作为生长基底，通过CVD法在基底表面生长单分子层厚BCN薄膜，甲烷与氨硼烷蒸气的流量比调控膜中碳含量，进而获得不同性能的单分子层薄膜。本发明使用的源，碳源甲烷相对于其他烷类气体，含碳量低，是制备石墨烯的首选含碳起源，氮、硼源氨硼烷常用于制备h‑BN单分子层的氮、硼源。生长基底铜、镍是生长石墨烯、h‑BN单分子层常用基底。
搜索关键词：	一种硼碳氮薄膜制备方法
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摘要：本公开提供了一种薄膜沉积方法、薄膜及存储器，其中，薄膜沉积方法包括：提供半导体衬底置于反应腔内；向反应腔内充入含有第一反应气体和第二反应气体的混合气体；梯度增大或者减小第一反应气体的流量，以使第一反应气体和第二反应气体在反应腔内，受射频发生器的作用进行反应，在半导体衬底上依次沉积形成N层薄膜；N层薄膜中碳元素含量沿着N层薄膜的生长方向递增或者递减。由于薄膜中的碳元素含量与蚀刻选择性相关，本方案形成的N层薄膜中的碳元素依次变化，进而使得N层薄膜中有至少一层薄膜可以适应当前的蚀刻条件，且针对该至少一层薄膜在对应的蚀刻条件下进行蚀刻后，薄膜结构依然稳定。

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摘要：本发明公开了一种316L不锈钢表面的碳氮化钛涂层及其制备方法，该涂层具有等轴晶结构及微米级块状晶粒形貌，该结构可以有效改善碳氮化钛涂层与316L不锈钢基体之间的热膨胀系数失配，并降低涂层与基体之间界面应力以及涂层内应力的特点，具备等轴晶与微米级块状晶粒的碳氮化钛涂层材料可以实现高防腐、高耐磨及低应力的兼顾，该涂层与金属基体实现冶金结合，兼具高防腐、高耐磨、良好韧性与结合力等特点。本发明所述涂层可以有效改善地面管线用316L不锈钢材料的防腐蚀与耐磨损性能。

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摘要：本发明公开了一种含Cr低合金钢表面的碳氮化钛纳米涂层及其制备方法，该方法通过化学气相沉积制备碳氮化钛纳米涂层，通过低温化学气相沉积法制备的所述碳氮化钛纳米涂层可有效增强涂层致密度与膜基结合力，降低涂层内应力及界面应力，减少涂层结构缺陷，有效阻止高温高压CO2环境下腐蚀产物对涂层的渗透，从而显著提高涂层的腐蚀防护性能。

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摘要：本发明公开一种功函数可调的WCN薄膜沉积方法，包括以下步骤：先将钨前驱体加热到80‑150℃，前驱体运输管路及ALD腔体预热；通过NH3等离子体与钨前驱体反应沉积形成单原子层WN薄膜，重复X次，形成X层WN薄膜；通过H2等离子体与钨前驱体反应沉积形成单原子层WC薄膜，重复步骤Y次，形成Y层WC薄膜；重复上述步骤Z次，直到达到预期厚度的WCN薄膜。本发明通过WC薄膜和WN薄膜膜交替沉积的方法制备的WCN薄膜，能实现WCN之间的原子结合，取代现有的通过调节单一WCN薄膜的沉积的工艺参数调节WCN内部C，N比例的方式，可以达到精确调节C、N含量，从而实现功函数的可调。

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摘要：本发明涉及一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法，所述高通量制备SiBCN用沉积装置包括：坩埚体、用于盖住所述坩埚体的含有多个第一通孔的石墨板、以及设置在石墨板第一通孔中的用于放置基体的顶部设置有法兰的石墨套管；所述坩埚体为空心结构；或者，所述坩埚体为实心结构且实心结构内设置有与石墨板中第一通孔对应的第二通孔。

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发明人：克洛迪娅·法法尔德;文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆;让-马克·吉拉尔 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C23C16/36
摘要：披露了包含碳硅烷取代的胺前体的含Si膜形成组合物。该碳硅烷取代的胺前体具有式(R¹)_aN(‑SiHR²‑CH₂‑SiH₂R³)_3‑a，其中a＝0或1；R¹是H、C1至C6烷基、或卤素；R²和R³各自独立地是H；卤素；具有式OR’的烷氧基，其中R’是烷基(C1至C6)；或具有式NR”₂的烷基氨基，其中每个R”独立地是H、C1‑C6烷基、C1‑C6烯基、或C3‑C10芳基或杂环基。还披露了合成该碳硅烷取代的胺前体的方法及它们用于沉积工艺的用途。

SiCN膜的成膜方法-201510290742.7
发明人：清水亮;宫原孝广;白井昌志;贞池慎一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社;宇部兴产株式会社
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C23C16/36
摘要：本发明为在被处理体的被处理面上形成SiCN膜的SiCN膜的成膜方法，其具备：向容纳有前述被处理体的处理室内供给包含Si原料的Si原料气体的工序；和在供给前述Si原料气体的工序之后，向前述处理室内供给包含氮化剂的气体的工序；作为前述氮化剂使用氮与碳的化合物。

半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置-201610115780.3
发明人：广濑义朗;佐野敦;渡桥由悟;桥本良知;岛本聪 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C23C16/36
摘要：本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置，形成具有低介电常数、高耐蚀刻性、高耐泄漏性的特性的薄膜。包括通过进行规定次数如下循环而在衬底上形成包含规定元素、氧、碳及氮的薄膜的工序，该循环包括如下工序：向衬底供给包含规定元素和卤素的原料气体的工序，向所述衬底供给由碳、氮及氢这3种元素构成的、且在1分子中碳原子的数量比氮原子的数量多的第一反应气体的工序，向所述衬底供给氮化气体作为第二反应气体的工序，和向所述衬底供给氧化气体作为第三反应气体的工序。

涂层切削工具-201480033763.4
发明人：卡尔·比约恩曼德 -专利权人：山特维克知识产权股份有限公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C23C16/36
摘要：本发明提供包含基底和表面涂层的涂层切削工具，其中所述涂层包含Ti(C,N)层，所述Ti(C,N)层包含至少一个平均粒宽为0.05‑0.2μm的柱状细粒MTCVD Ti(C,N)层，且在所述MTCVD Ti(C,N)层中包含的碳与碳和氮的总和的原子比(C/(C+N))的平均值为0.50‑0.65。

碳化金属薄膜的蒸镀方法-201710387365.8
发明人：梁宰瑛;李晟宇 -专利权人： TES股份有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： C23C16/36
摘要：本发明涉及一种在半导体制程中蒸镀碳化金属薄膜，并将所述碳化金属薄膜用作硬质遮罩的方法，更详细而言，涉及一种如下的碳化金属薄膜的蒸镀方法为了解决在将以往的非晶质碳膜用作硬质遮罩时，因蚀刻选择比较低引起的图案化问题、与在蚀刻后无法容易地去除硬质遮罩的问题，利用包括金属及碳的前驱物，通过等离子体加强化学气相沉积方式形成碳化金属薄膜，而明显地提高蚀刻选择比，减小晶粒尺寸而将薄膜非晶质化，由此可在蚀刻后容易地去除硬质遮罩，可通过调节碳化金属薄膜中所包括的金属与碳的相对含量而明显地降低碳化金属薄膜的整体内部应力。

金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法、金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜以及金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造装置-201680003675.9
发明人：白井昌志;二瓶央 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C23C16/36
摘要：本发明提供能够在低温下制造金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的方法。本发明的方法中，使用N‑三烷基甲硅烷基‑1,2,3‑三唑化合物和由通式(1)表示的1,2,4‑三唑化合物中的至少一者作为氮源，进行金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的成膜。(式中，R可以相同或不同，表示氢原子、碳原子数为1～5的直链状、支链状或环状的烷基、或者碳原子数为1～5的三烷基甲硅烷基。需要说明的是，2个以上的R可以相互键合形成环。)

涂布切削工具及其制造方法-201380066618.1
发明人：卡尔·比约恩曼德 -专利权人：山特维克知识产权股份有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C23C16/36
摘要：本发明提供涂布的切削工具，其包含基底和涂层，所述基底具有前刀面、后刀面和切削刃，所述涂层包含第一层和第二层，其中所述第二层包含由内层、中间层和外层组成的夹层结构，其中所述内层通过在所述外层中的开口暴露且所述开口在所述切削刃的宽度的至少一部分上延伸。由此，在临界区域中提供双层，而在其它区域中提供单层。优选所述双氧化物层为氧化铝层。还提供了制造所述涂布切削工具的方法。

一种具有增强耐磨性和韧性的纳米柱状晶的刀具涂层-201410232242.3
发明人：郑清平;陈艺聪;吴学林;卢志红;张守全 -专利权人：厦门金鹭特种合金有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： C23C16/36
摘要：本发明公开了一种具有增强耐磨性和韧性的纳米柱状晶刀具涂层，通过优化晶粒尺寸和微观结构来显著提高耐磨性及抗冲击性能。该改进的涂层包括纳米柱状晶，通过采用CH₄，C₂H₆，C₂H₄，C₂H₂、N₂，CH₃CN作为碳氮源的组合来确保对晶粒尺寸和形状的控制。必须小心控制各个气体的组合比例，以便保持纳米柱状晶结构。优选的柱状晶粒尺寸为50-150nm，长宽比大于10。本发明既克服了MT-TiCN涂层柱状晶粒比较粗大时其耐磨性及抗冲击性不足的弊端，又克服了细小的MT-TiCN涂层容易形成等轴晶造成耐磨性下降的弊端。本发明的切削刀具涂层韧性优秀、耐磨性好，在钢、铸铁、不锈钢等材料的切削加工上具有优异的切削性能。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]一种硼碳氮薄膜的制备方法在审

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