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[发明专利]一种高抗应力开裂的SiCf-CN202110752247.9有效
发明人：阚艳梅;董绍明;陈小武;靳喜海;胡建宝;孙小凡 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。所述高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法包括：在碳化硅纤维预制体的纤维表面沉积界面层；在所述的覆有界面相的碳化硅纤维预制体中引入碳基体和氮化硅粉体，获得SiCf/C‑Si3N4熔渗体；将Al‑Si合金熔体在高温下熔渗到SiCf/C‑Si3N4熔渗体中，经高温原位反应生成AlN和SiC，得到高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料。
一种应力开裂 sic base sub

[发明专利]一种SiC纤维增强复合材料用SiBCN界面涂层及制备方法和应用-CN202110323658.6有效
发明人：廖春景;董绍明;杨金山;靳喜海;胡建宝;陈小武;于峰 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C04B35/628 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC纤维增强复合材料用SiBCN界面涂层及制备方法和应用，所述SiBCN界面涂层的组分包括：Si的含量为0.70～7.90at%、B的含量为45.15～88.69at%、C的含量为0.45～15.74at%、N的含量为6.16～49.69at%。
一种 sic 纤维增强复合材料 sibcn 界面涂层制备方法应用

[发明专利]一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法-CN202110323660.3有效
发明人：廖春景;董绍明;靳喜海;倪德伟;章龙龙;林玲;顾炎 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C16/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法，所述高通量制备SiBCN用沉积装置包括：坩埚体、用于盖住所述坩埚体的含有多个第一通孔的石墨板、以及设置在石墨板第一通孔中的用于放置基体的顶部设置有法兰的石墨套管；所述坩埚体为空心结构；或者，所述坩埚体为实心结构且实心结构内设置有与石墨板中第一通孔对应的第二通孔。
一种通量制备 sibcn 沉积装置方法

[发明专利]一种致密Cf-CN201710980481.0有效
发明人：董绍明;丁奇;倪德伟;王震;靳喜海;何平;周海军 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种致密Cf/SiBCN陶瓷基复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：（1）利用真空作用将含有聚硼硅氮烷和自由基引发剂的前驱体混合溶液引入到碳纤维预制体中，然后在密封状态下交联固化，并在惰性气氛下裂解，得到Cf/SiBCN陶瓷基复合材料，所述自由基引发剂为过氧类引发剂或/和偶氮类引发剂；（2）重复浸渍‑交联固化‑裂解6～8次，得到所述致密Cf/SiBCN陶瓷基复合材料。
一种致密 base sub

[发明专利]一种多层界面涂层及其制备方法和应用-CN201811542939.5有效
发明人：廖春景;董绍明;胡建宝;靳喜海;张翔宇;何平;丁玉生 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C04B35/628 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层界面涂层及其制备方法和应用，所述多层界面涂层包括依次交替形成在所述基底表面的SiBN涂层和Si3N4涂层，所述SiBN涂层的层数n≥1，优选为2～5。
一种多层界面涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种Si-B-C三组元相的高通量制备方法-CN201811542938.0在审
发明人：董绍明;廖春景;靳喜海;胡建宝;章龙龙;高乐;王震 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明涉及一种Si‑B‑C三组元相的高通量制备方法，包括：（1）将多片基板分别放入到沉积反应室中的不同区域内；（2）抽真空、充入惰性气体再抽真空；（3）加热所述沉积反应室中的所述不同区域至不同的设定温度以使所述不同区域处于不同的温度场；（4）通入SiCH3Cl3、BCl3、和H2，反应规定时间，以在各基板表面沉积形成Si‑B‑C三元相。
一种 si 三组元相通量制备方法

[发明专利]一种层状结构Cf/ZrB₂-SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法-CN201910395305.X在审
发明人：倪德伟;陈博文;董绍明;靳喜海;周海军;高乐 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种层状结构Cf/ZrB₂‑SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，该制备方法包括：（1）将ZrB₂粉体、SiC粉体、分散剂和粘结剂加入溶剂中并混合，得到ZrB₂‑SiC浆料；（2）采用流延成型方法将所得ZrB₂‑SiC浆料制成ZrB₂‑SiC素坯；（3）将碳纤维编织体浸渍于所得ZrB₂‑SiC浆料中，得到碳纤维预制体；（4）将所得ZrB₂‑SiC素坯和碳纤维预制体交替叠层至少1次，再经排胶和烧结，得到所述层状结构C_f/ZrB₂‑SiC超高温陶瓷基复合材料。
超高温陶瓷层状结构复合材料制备碳纤维预制体粉体素坯浸渍碳纤维编织体交替叠层流延成型烧结分散剂粘结剂溶剂排胶

[发明专利]一种制备高纯AlON粉体的方法-CN201110422073.6有效
发明人：高濂;靳喜海;孙静 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C01F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高纯AlON粉体的方法，是首先将纳米Al2O3粉体分散于溶剂中，然后加入热固性树脂的聚合单体，使聚合单体在Al2O3颗粒表面进行原位聚合反应，生成树脂聚合物包覆Al2O3颗粒的复合前驱体，再对所述复合前驱体在惰性气氛中于800～1100℃进行热解反应，最后在氮气氛下于1680～1750℃进行碳热还原反应。本发明可以显著提高热解碳与Al2O3颗粒的接触面积和混合均匀度，阻止碳热还原过程中Al2O3颗粒间的局部烧结和汇聚长大，从而降低了AlON粉体的制备温度及其颗粒尺寸和团聚度，所制备的AlON粉体纯度高，粉体颗粒尺寸不超过1μm。
一种制备高纯 alon 方法

[发明专利]一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法-CN201110216528.9有效
发明人：王焱;孙静;靳喜海;刘阳桥 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01G4/008 文献下载
摘要：本发明涉及一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法，其特征在于以具有高导电氮化物单元(核)/高介电绝缘层结构(壳)的核壳结构复合粉体代替传统晶界层电容器的材料单元，采用SPS烧结工艺制备高介电、低损耗的仿晶界层电容器。所述的仿晶界层电容器材料包括SrTiO3/TiN、BaTiO3/ZrN、CaTiO3/TiN、MgTiO3/NbN、(Ba，Sr)TiO3/TiN和Pb(Mg1/3Nb2/3)O3/NbN等。本发明的设计理念突破了传统晶界层电容器仅限于SrTiO3和BaTiO3等极个别陶瓷材料这一缺点，将其推广到一系列高介电陶瓷材料，从而可以大大扩展“晶界层电容器”的家族规模。
一类高介电损耗仿晶界层电容器及其制备方法

[发明专利]氮化铬-氮化钛固溶体陶瓷及制备方法-CN200910055363.4无效
发明人：高濂;靳喜海 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备氮化铬-氮化钛陶瓷及制备方法，属于陶瓷材料领域。本发明的特征在于提供的氮化铬和氮化钛固溶体的通式为Ti_xCr_1-xN，其中0.4＜x≤0.6。通过在氮化铬中固溶氮化钛，然后利用放电等离子体烧结技术制备氮化钛-氮化铬固溶体陶瓷。该方法的突出特点是，通过在氮化铬中固溶一定量的氮化钛可以大幅度提高前者的热力学稳定性，上述因素结合放电等离子烧结技术低温快速烧结的特性可以有效抑制氮化铬在高温的热分解，获得高度致密的氮化铬-氮化钛固溶体陶瓷，并使材料的导电性和硬度相对于纯氮化铬陶瓷产生大幅度的提高。
氮化固溶体陶瓷制备方法

[发明专利]一种高透明细晶氧化铝陶瓷的制备方法-CN200910055361.5有效
发明人：高濂;靳喜海 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备高透明细晶Al₂O₃陶瓷的方法，属于陶瓷材料领域。其特征在于通过HF酸对常规商业α-Al₂O₃超细粉体进行处理，然后通过放电等离子体烧结制备细晶高透明的Al₂O₃陶瓷。所述的方法的突出特点是，通过HF酸处理可以明显降低α-Al₂O₃粉体的团聚度并提高其烧结性，通过放电等离子体烧结可以在较低温度下即可获得完全致密且具有高的线性透过率的细晶透明Al₂O₃陶瓷。
一种透明氧化铝陶瓷制备方法

[发明专利]板状氧化铝颗粒的制备方法-CN200610023323.8无效
发明人：高濂;靳喜海 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2006-01-13 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： C01F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过熔盐法制备板状Al₂O₃颗粒及其尺寸控制的方法，属于精细化工领域；本发明的主要特征在于以部分分解的铝盐为Al₂O₃前驱体，通过熔盐法制备近单分散分布的板状Al₂O₃颗粒，或通过在原料粉体中再加入板状Al₂O₃晶种控制最终产物中板状Al₂O₃颗粒的尺寸；本发明提供的制备方法的突出特点是，所得板状Al₂O₃颗粒尺寸细小，在亚微米到几个微米之间，并且可以通过调节板状Al₂O₃晶种的添加量对产物中板状Al₂O₃的颗粒尺寸实现精确控制。
氧化铝颗粒制备方法

[发明专利]高强度氧化铝/氧化锆/铝酸镧复相陶瓷及制备方法-CN03141630.6无效
发明人：高濂;靳喜海 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2003-07-16 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： C04B35/119 文献下载
摘要：本发明涉及一种高强度Al₂O₃/ZrO₂(2Y)/LaAl₁₁O₁₈复相陶瓷及制备方法，属于精细化工领域。本发明的主要特征在于以La、Zr、Y、Al的无机盐和α－Al₂O₃为原料，首先通过沉淀包裹工艺制备或Al₂O₃、ZrO₂(2Y)和氧化锆包裹的氧化铝的复相粉体，然而高温烧结成Al₂O₃/ZrO₂(2Y)/LaAl₁₁O₁₈复相陶瓷。该材料的突出特点是，瓷体中ZrO₂(2Y)和LaAl₁₁O₁₈的含量总和为30vol％，其中板状LaAl₁₁O₁₈颗粒在烧结过程中通过Al₂O₃和La₂O₃间的原位反应生成，瓷体显微结构均匀，在较宽的烧结温度范围内均表现出良好的力学性能好，适用于工业化批量生产。所提供的复相陶瓷Al₂O₃的含量为70vol％，ZrO₂和LaAl₁₁O₁₈含量为30vol％，ZrO₂为固溶有2mol％Y₂O₃的ZrO₂。
强度氧化铝氧化锆铝酸镧复相陶瓷制备方法

[发明专利]一种高烧结活性氧化铝粉体的制备方法-CN02111001.8无效
发明人：高濂;靳喜海 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2002-03-12 - 公布日： 2002-09-18 - 主分类号： C01F7/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备高烧结活性氧化铝粉体的方法。其特征在于以含铝无机盐为主要原料,碳酸氢铵为沉淀剂,生成NH4Al(OH)2CO3,更确切地说,铝无机盐为硝酸铝、氯化铝、和硫酸铝铵中一种,含铝的无机盐浓度为0.1－1M,碳酸氢铵浓度为1－4M,反应温度为5－50℃,沉淀陈化时间2－24小时,沉淀物经去离子水洗涤至无机盐杂质含量控制在10ppm,然而50－150℃烘干,最后在1100－1200℃煅烧,使之转变为α－Al2O3,晶粒尺寸小于400nm的亚微米及纳米级氧化铝粉体。该方法制取的氧化铝粉体具有硬团聚少和烧结活性高的特点,非常适合于高档氧化铝陶瓷材料的制备。
一种烧结活性氧化铝制备方法

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