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[发明专利]基板处理方法、基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质-CN202211132228.7在审
发明人：刘涛;原田和宏;今村友纪;奥田和幸;野田孝晓 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C23C16/36 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理方法、基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质。本发明即使在低温下，也能够使膜中的氮浓度成为所希望的浓度。基板处理方法包括：(a)对基板供给含有预定元素的第一气体的工序；(b)对基板供给含有碳和氮的第二气体的工序；(c)对基板供给被等离子体活化后的含有氮的气体的工序；(d)对基板供给含有氧的气体的工序；以及(e)通过将进行(a)至(d)的循环进行2次以上的第一次数或者通过将依次进行(a)至(d)的循环进行1次以上，从而在基板上形成至少含有预定元素、氧、碳和氮的膜的工序。
处理方法装置半导体制造记录介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质-CN201811053128.9有效
发明人： 奥田和幸;南政克;中村吉延;高木康祐;加我友纪直;竹林雄二 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质。本发明的课题为抑制在沿上下方向装载的衬底上形成的膜的膜厚在衬底之间产生不均。本发明的解决手段为通过一边供给DCS气体一边从喷嘴(249a)向处理室(201)供给N2气体，从而利用N2气体将DCS气体推升至沿上下方向延伸的喷嘴(249a)的上端。此外，通过从下方对处理室(201)内的气体进行排气，从而即使DCS气体被大量供给至在喷嘴(249a)内流动的DCS气体的上游侧即处理室(201)内的下方部，也仍可将其排气。由此，能够在处理室(201)的上下方向上均匀地供给DCS气体，能够使在衬底上形成的膜的膜厚在衬底之间均匀。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法及记录介质-CN202111599732.3在审
发明人：今村友纪;奥田和幸;竹田刚;原大介 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法及记录介质，提供一种能够降低针对多个基板的基板处理性能的偏差的技术。提供一种技术，具备：第一等离子体电极单元(377)，其包含被赋予基准电位的作为第一基准电极的棒状电极(370)、以及被施加高频电力的作为第一施加电极和第二施加电极的棒状电极(369、371)中的至少一方，对气体进行等离子体激发；以及第二等离子体电极单元(277)，其包含被赋予基准电位的作为第二基准电极的棒状电极(270)、以及被施加高频电力且长度与第一施加电极和第二施加电极均不同的作为第三施加电极的棒状电极(269、271)，对气体进行等离子体激发。
处理装置等离子体生成半导体制造方法记录介质

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和记录介质-CN202111082924.7在审
发明人：野田孝晓;今村友纪;奥田和幸;寺崎昌人 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明是半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和记录介质。通过抑制由在处理容器内形成的膜引起的颗粒产生，延长清洁周期，提高成膜处理的生产率。本发明具有：(a)向处理容器内搬入基板的工序，(b)在处理容器内进行以下处理的工序，即，通过将对基板由第一供给部供给原料气体的工序和对基板由第二供给部供给反应气体的工序交替或同时进行预定次数，在基板上形成膜的处理，(c)从处理容器内搬出处理后的基板的工序和(d)在从处理容器内搬出处理后的基板后的状态下，使(b)中在处理容器内形成的膜的至少一部分氧化而变成氧化膜的工序，在(d)中，向处理容器内供给含氧气体和含氢气体，同时向第一供给部供给含氢气体。
半导体装置制造方法处理记录介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序-CN202080047973.4在审
发明人：越保信;奥田和幸;桥本良知;原田胜吉 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明具有通过将包括下述(a)～(c)的循环进行规定次数从而在衬底上形成含有规定元素及氮的膜的成膜工序：(a)向处理室内的被加热至第1温度的衬底供给含有规定元素及卤素的原料气体而形成第1层的工序；(b)向处理室内的衬底供给含有氢且不含有氮的经等离子体激发的第1改性气体，使第1层改性而形成第2层的工序；和(c)向处理室内的衬底供给含有氮及氢的经等离子体激发的第2改性气体，使第2层改性而形成第3层的工序，其中，将(b)中的第1改性气体的供给时间TH设为比(c)中的第2改性气体的供给时间TN长。
半导体器件制造方法衬底处理装置程序

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质-CN202110650847.4在审
发明人：今村友纪;野田孝晓;奥田和幸;寺崎昌人 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。通过适当地抑制因在处理容器内形成的膜而产生粒子，从而延长清洁周期、提高成膜处理的生产率。重复进行多次包含下述工序的组：(a)向处理容器内搬入衬底的工序；(b)向处理容器内由支承件支承的衬底供给成膜气体，进行在衬底上形成氮化膜的处理的工序；(c)将处理后的衬底从处理容器内搬出的工序；(d)向将处理后的衬底搬出后的处理容器内供给氧化气体，将(b)中在处理容器内形成的氮化膜的一部分氧化并转化为氧化膜，并使该氮化膜的与该一部分不同的其他部分维持氮化膜状态而不氧化的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202010375289.0在审
发明人：浅井优幸;今村友纪;奥田和幸;井之口泰启;水野谦和 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高形成于衬底的膜的衬底面内膜厚均匀性。具有将非同时进行(a)和(b)的循环进行规定次数而在衬底上形成膜的工序，(a)向处理室内衬底供给原料气体及非活性气体的工序，(b)向处理室内衬底供给反应气体的工序，(a)中从第1供给部向衬底供给在第1罐内积存的原料气体及非活性气体中至少任一者，从第2供给部向衬底供给在第2罐内积存的原料气体及非活性气体中至少任一者，在第1罐内积存有原料气体及非活性气体中至少任一者的状态下的第1罐内的原料气体的浓度与在第2罐内积存有原料气体及非活性气体中至少任一者的状态下的第2罐内的原料气体的浓度不同。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN202010088914.3在审
发明人： 奥田和幸;樱井修三;井之口泰启;南政克 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够提高基板上所形成的膜的基板面内膜厚分布的控制性。基板处理装置的气体供给系统具备：将第一处理气体暂时性地贮留的第一贮留部、将第一处理气体暂时性地贮留的第二贮留部、使第一贮留部内贮留的第一处理气体从基板的外周向朝向基板的中心的方向供给的第一气体供给口、以及构成为将第二贮留部内贮留的第一处理气体从基板的外周向比从基板的外周向朝向基板的中心的方向靠基板的外周侧的方向供给的第二气体供给口。
处理装置半导体制造方法以及存储介质

[外观设计]石英样式晶圆-CN201630281380.0有效
发明人：冈田裕巳;森田慎也;相泽聪;南政克;奥田和幸;山田正行 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：石英样式晶圆。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于在半导体制造装置中，承载在对作为处理对象的半导体基板（晶圆）进行保持的基板保持具（又叫做晶圆保持具或船具）上，在进行成膜处理时使用的适配器。3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：A部立体图。5．省略视图：左视图与右视图对称省略左视图，俯视图与仰视图对称省略俯视图。
石英样式

[发明专利]基板处理装置-CN201010243656.8无效
发明人：绀谷忠司;丰田一行;佐藤武敏;加贺谷徹;嶋信人;石丸信雄;境正宪;奥田和幸;八木泰志;渡边诚治;国井泰夫 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2003-04-04 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，其中容纳并叠层有多个基板；上述反应容器中设置有一对电极，上述电极沿上述多个基板的叠层方向延伸，和高频电源提供给上述电极；电极室，容纳上述电极，上述电极室设置在上述反应容器中；和供气件，将处理气体提供给上述电极室，上述供气件包括多个供气口，其中，利用两种以上的处理气体在基板上形成膜。
处理装置

[发明专利]半导体器件的制造方法以及衬底处理装置-CN200910128305.X有效
发明人：宫博信;丰田一行;水野谦和;佐藤武敏;境正宪;浅井优幸;奥田和幸;堀田英树 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2006-02-15 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第1步骤，对收容于处理室内的衬底供给第1反应物质，使存在于上述衬底的表面的作为反应点的配位基与该第1反应物质的配位基发生配位基交换反应；第2步骤，从上述处理室除去剩余的上述第1反应物质；第3步骤，对上述衬底供给第2反应物质，使由上述第1步骤交换后的配位基对反应点发生配位基交换反应；第4步骤，从上述处理室除去剩余的上述第2反应物质；第5步骤，对上述衬底供给由等离子所激励的第3反应物质，使在上述第3步骤中未对反应点进行交换反应的配位基对反应点发生配位基交换反应，反复进行上述第1～第5步骤预定次数，直到在上述衬底的表面形成所希望厚度的膜。
半导体器件制造方法以及衬底处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN200810179581.4有效
发明人：绀谷忠司;丰田一行;佐藤武敏;加贺谷徹;嶋信人;石丸信雄;境正宪;奥田和幸;八木泰志;渡边诚治;国井泰夫 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2003-04-04 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，包括处理室和电极室，所述电极室与所述处理室相分离，所述电极室容纳有一对电极，和多个待叠层的基板容纳在所述处理室中；和供气件，将处理气提供进所述电极室，所述供气件包括多个供气口，其中所述对电极沿所述多个基板的叠层方向延伸，所述电极设置在所述多个基板的一侧，高频电源被提供给所述电极。
处理装置

[发明专利]半导体器件的制造方法以及衬底处理装置-CN200680000868.5无效
发明人：宫博信;丰田一行;水野谦和;佐藤武敏;境正宪;浅井优幸;奥田和幸;堀田英树 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2006-02-15 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第1步骤，对收容于处理室内的衬底供给第1反应物质，使存在于上述衬底的表面的作为反应点的配位基与该第1反应物质的配位基发生配位基交换反应；第2步骤，从上述处理室除去剩余的上述第1反应物质；第3步骤，对上述衬底供给第2反应物质，使由上述第1步骤交换后的配位基对反应点发生配位基交换反应；第4步骤，从上述处理室除去剩余的上述第2反应物质；第5步骤，对上述衬底供给由等离子所激励的第3反应物质，使在上述第3步骤中未对反应点进行交换反应的配位基对反应点发生配位基交换反应，反复进行上述第1～第5步骤预定次数，直到在上述衬底的表面形成所希望厚度的膜。
半导体器件制造方法以及衬底处理装置

[发明专利]反应容器-CN200510118667.2有效
发明人：绀谷忠司;丰田一行;佐藤武敏;加贺谷徹;嶋信人;石丸信雄;境正宪;奥田和幸;八木泰志;渡边诚治;国井泰夫 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2003-04-04 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明涉及一种反应容器，其特征在于包括：收容多层配置基板的反应室；多个缓冲室；以及将用于处理基板的气体分别输入上述多个缓冲室的多个气体导入部，上述多个缓冲室各自具有沿上述基板多层配置方向设置的多个供气口，将从上述多个气体导入部分别输入的上述用于处理基板的气体由上述多个供气口分别提供给上述反应室，上述多个气体导入部中至少一个沿上述基板多层配置方向设置，上述多个气体导入部中沿上述基板多层配置方向设置的气体导入部，包括有沿上述基板多层配置方向设置多个气体输入口。
反应容器

[发明专利]基板处理装置-CN200510118668.7无效
发明人：绀谷忠司;丰田一行;佐藤武敏;加贺谷徹;嶋信人;石丸信雄;境正宪;奥田和幸;八木泰志;渡边诚治;国井泰夫 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2003-04-04 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：收容多层配置的基板的反应室；多个缓冲室；将用于处理基板的气体分别输入上述多个缓冲室的多个气体导入部；上述多个缓冲室分别具有沿上述基板的多层配置方向设置的多个供气口；将由上述多个气体导入部分别输入的上述用于处理基板的气体从上述多个供气口分别提供给上述反应室，在上述多个缓冲室中的一个缓冲室内设置有活性化上述用于处理基板的气体的电极，而其它缓冲室不设置活性化上述用于处理基板的气体的电极。
处理装置

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