[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110274413.9 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN115084240A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 杨勇 | 申请（专利权）人： | 中芯南方集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部；在所述衬底上形成若干横跨鳍部的初始栅极、以及位于所述初始栅极顶面的掩膜结构；采用离子注入工艺在所述初始栅极内形成掺杂区，所述离子注入工艺的离子注入方向为衬底表面的法线方向；去除所述掺杂区，以形成栅极。从而，提高了半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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