[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110270445.1 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113053999B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李睿 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物半导体晶体管及其制备方法。该金属氧化物半导体晶体管包括衬底层、外延层、体区、源区、第一栅介质层、栅极、并排依次紧靠的多个阻挡部和与多个所述阻挡部相对应的多个终端区；所述外延层设置于所述衬底层上，所述第一栅介质层用于间隔所述栅极与所述外延层，所述体区设置于所述外延层中，所述源区设置于所述体区中，所述终端区设置于所述源区远离所述栅极的一侧的外延层中；其中，各所述终端区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同，所述源区的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相同；在多个所述阻挡部中，靠近所述源区的阻挡部的厚度较小，在多个所述终端区中，靠近所述源区的终端区中的掺杂浓度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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