[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括衬底层、外延层、体区、源区、第一栅介质层、栅极、多个阻挡部和多个终端区；

所述外延层设置于所述衬底层上，所述第一栅介质层间隔所述栅极与所述外延层，所述体区设置于所述外延层中，所述源区设置于所述体区中，所述终端区设置于所述外延层中，且位于所述源区的一侧，多个所述阻挡部依次紧靠设置，多个所述终端区的位置与多个所述阻挡部相对应，各所述阻挡部层叠设置于对应的所述终端区上；随着靠近所述源区，所述阻挡部的厚度逐渐减薄，所述终端区的掺杂浓度逐渐增高；

所述阻挡部有三个，分别为并排依次紧靠的第一阻挡部、第二阻挡部与第三阻挡部，其中所述第一阻挡部距所述源区较近；

所述第一阻挡部包括第一介质层；

所述第二阻挡部包括第二介质层与在所述第二介质层上外延生长的第三介质层，其中，所述第二介质层距所述外延层较近；

所述第三阻挡部包括第四介质层；

所述第四介质层与所述第三介质层的材料相同，所述第四介质层的材料在所述外延层上的外延生长速度大于其在所述第二介质层上的外延生长速度，所述第四介质层的材料在所述第二介质层上的外延生长速度大于其在所述第一介质层上的外延生长速度。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述第二阻挡部还包括第五介质层，所述第五介质层层叠设置于所述第二介质层远离所述第三介质层的一侧，所述第五介质层与所述第一介质层的材料相同。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述外延层的材料为硅基材料，所述第一介质层的材料为氧化硅，所述第二介质层的材料与所述第三介质层的材料分别选自氮化硅与碳化硅中的其中一种，且所述第二介质层的材料与所述第三介质层的材料不同。

4.根据权利要求3所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，还包括源区导电层，所述第一栅介质层层叠设置于所述外延层上，所述第一栅介质层与所述阻挡部间隔设置，所述源区导电层外延生长于所述源区表面且位于所述第一栅介质层与所述阻挡部之间，所述第二介质层的材料选自氮化硅，所述第三介质层的材料与所述源区导电层的材料均选自碳化硅。

5.根据权利要求4所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，还包括第二栅介质层，所述栅极设置于所述第一栅介质层上，所述第二栅介质层整体覆盖所述栅极表面，所述第二介质层的材料选自氮化硅，所述第三介质层的材料选自碳化硅，所述第二栅介质层的材料为氧化硅。

6.根据权利要求1～5任一项所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，还包括阻隔层、第一金属层、第二金属层与第三金属层，所述阻隔层整体覆盖所述栅极与各所述阻挡部，所述第一金属层穿过所述阻隔层并与所述源区电连接，所述第二金属层穿过所述阻隔层并与所述栅极电连接，所述第三金属层与所述衬底层电连接。

7.一种根据权利要求1～6任一项所述的金属氧化物半导体晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在衬底上形成外延层，在所述外延层中形成源区与体区；

制备栅极，并在外延层上制备多个依次紧靠的阻挡部；

透过各所述阻挡部，向所述源区远离所述栅极一侧的所述外延层中注入掺杂元素，形成对应于各所述阻挡部的多个终端区。