[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110256598.0 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN115050740A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 郑春生;苏博;郑二虎;张文广 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层；栅极盖帽层，覆盖栅极结构的顶部；第一介质层，位于栅极结构侧部的基底上，第一介质层顶部和栅极盖帽层顶部相齐平；第二介质层，覆盖第一介质层和栅极盖帽层的顶部；源漏互连层，位于源漏掺杂层顶部的第一介质层中，并与源漏掺杂层相连，源漏互连层顶部低于或齐平于栅极盖帽层顶部；源漏盖帽层，贯穿源漏互连层顶部的第二介质层；栅极接触孔插塞，贯穿所述栅极结构顶部的第二介质层和栅极盖帽层且与栅极结构顶部相连；源漏接触孔插塞，贯穿源漏盖帽层且与源漏互连层顶部相连。本发明提高了半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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