[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层；

栅极盖帽层，覆盖所述栅极结构的顶部；

第一介质层，位于所述栅极结构侧部的基底上，所述第一介质层的顶部和栅极盖帽层的顶部相齐平；

第二介质层，覆盖所述第一介质层和栅极盖帽层的顶部；

源漏互连层，位于所述源漏掺杂层顶部的第一介质层中，并与所述源漏掺杂层相连，所述源漏互连层的顶部低于或齐平于所述栅极盖帽层的顶部；

源漏盖帽层，贯穿所述源漏互连层顶部的所述第二介质层；

栅极接触孔插塞，贯穿所述栅极结构顶部的所述第二介质层和栅极盖帽层且与所述栅极结构顶部相连；

源漏接触孔插塞，贯穿所述源漏盖帽层且与所述源漏互连层顶部相连。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：侧墙，覆盖所述栅极结构的侧壁，所述侧墙的材料介电常数小于氧化硅的介电常数。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极盖帽层还延伸覆盖所述侧墙的顶部。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：保护层，覆盖所述源漏互连层的侧壁。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿垂直于所述栅极结构侧壁的方向，所述源漏盖帽层还延伸覆盖所述源漏互连层两侧的所述栅极盖帽层的部分顶部。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第三介质层，位于所述栅极接触孔插塞和源漏接触孔插塞侧部的第二介质层和源漏盖帽层上，且覆盖所述栅极接触孔插塞和源漏接触孔插塞的侧壁。

7.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述侧墙的材料包括低k介质材料或超低k介质材料中的一种或多种。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏互连层顶部至所述栅极盖帽层顶部的距离为0至10纳米。

9.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏盖帽层覆盖所述栅极盖帽层的宽度小于或等于10纳米。

10.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的材料包括氮化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和碳氮氧化硅中的一种或多种。

11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，所述栅极结构侧部的基底上形成有第一介质层，所述第一介质层露出所述栅极结构的顶部；

回刻蚀部分厚度的所述栅极结构，在所述第一介质层中形成第一凹槽；

在所述第一凹槽中形成覆盖所述栅极结构顶部的栅极盖帽层；

形成覆盖所述第一介质层和栅极盖帽层的第二介质层；

形成贯穿所述源漏掺杂层顶部的第二介质层和第一介质层的沟槽；

在所述沟槽中形成与所述源漏掺杂层相连的源漏互连层；

回刻蚀部分厚度的所述源漏互连层，在所述第二介质层中形成第二凹槽，且回刻蚀后的所述源漏互连层顶部低于或齐平于所述栅极盖帽层顶部；

在所述第二凹槽中形成覆盖所述源漏互连层顶部的源漏盖帽层；

形成所述源漏盖帽后，形成贯穿所述栅极结构顶部的所述第二介质层和栅极盖帽层且与所述栅极结构顶部相连的栅极接触孔插塞，形成贯穿所述源漏盖帽层且与所述源漏互连层顶部相连的源漏接触孔插塞。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述栅极结构的侧壁形成有侧墙，所述侧墙的材料介电常数小于氧化硅的介电常数。