[发明专利]清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质在审
申请号: | 202110236240.1 | 申请日: | 2021-03-03 |
公开(公告)号: | CN113355653A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 西田圭吾 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01L21/67 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;宋春华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供能够提高处理室内的清洁效率的技术,该技术通过将依次进行以下工序的周期实施预定次数来除去附着于处理室内的堆积物:(a)在停止处理室内的排气的状态下,直至处理室内的压力上升到第一压力带为止向处理室内供给清洁气体;(b)同时进行处理室内的排气和向处理室内的清洁气体的供给,将处理室内的压力维持在第一压力带;以及(c)在停止向处理室内的清洁气体的供给的状态下,直至处理室内的压力成为比第一压力带低的第二压力为止,进行处理室内的排气。 | ||
搜索关键词: | 清洁 方法 半导体 装置 制造 处理 以及 存储 介质 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的