[发明专利]清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质

权利要求书

1.一种清洁方法，其特征在于，

通过将依次进行以下工序的周期实施预定次数来除去附着于处理室内的堆积物：

(a)在停止上述处理室内的排气的状态下，直至上述处理室内的压力上升到第一压力带为止向上述处理室内供给清洁气体；

(b)同时进行上述处理室内的排气和向上述处理室内的上述清洁气体的供给，将上述处理室内的压力维持在上述第一压力带；以及

(c)在停止向上述处理室内的上述清洁气体的供给的状态下，直至上述处理室内的压力成为比上述第一压力带低的第二压力为止，进行上述处理室内的排气。

2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，

上述第一压力带是通过上述清洁气体能够得到期望的蚀刻速度的压力范围。

3.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，

上述第二压力是通过上述清洁气体产生蚀刻反应的下限压力值。

4.根据权利要求2所述的清洁方法，其特征在于，

上述第二压力是通过上述清洁气体产生蚀刻反应的下限压力值。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的清洁方法，其特征在于，

上述清洁气体是包含氟化氢的气体。

6.根据权利要求5所述的清洁方法，其特征在于，

上述第一压力带为150Torr以上且400Torr以下。

7.根据权利要求5所述的清洁方法，其特征在于，

上述第二压力为100Torr以上。

8.根据权利要求6所述的清洁方法，其特征在于，

上述第二压力为100Torr以上。

9.根据权利要求5所述的清洁方法，其特征在于，

在上述(a)～(c)工序中，以使构成形成于上述处理室内的下部的炉口部的部件为0℃以上且100℃以下的温度的方式进行加热。

10.根据权利要求9所述的清洁方法，其特征在于，

从设于上述炉口部的气体吐出部对上述炉口部附近供给上述清洁气体。

11.根据权利要求1所述的清洁气体，其特征在于，

上述周期进行两次以上。

12.根据权利要求11所述的清洁方法，其特征在于，

至少第二次的上述周期中的上述(a)工序在上述处理室内的压力维持上述第二压力的状态下开始。

13.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，

在执行上述(a)工序后不进行其它工序而连续地执行上述(b)工序。

14.根据权利要求5所述的清洁方法，其特征在于，

上述堆积物是含硅物。

15.根据权利要求14所述的清洁方法，其特征在于，

上述含硅物包括硅氧化物。

16.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：通过将依次进行工序(a)、工序(b)以及工序(c)的周期实施预定次数来清洁处理室内的工序；以及工序(d)，

上述工序(a)在停止上述处理室内的排气的状态下，直至上述处理室内的压力上升到第一压力带为止，向上述处理室内供给清洁气体，

上述工序(b)同时进行上述处理室内的排气和向上述处理室内的上述清洁气体的供给，将上述处理室内的压力维持在上述第一压力带，

上述工序(c)在停止向上述处理室内的上述清洁气体的供给的状态下，直至上述处理室内的压力成为比上述第一压力带低的第二压力为止，进行上述处理室内的排气，

上述工序(d)在将基板容纳于上述处理室内的状态下对上述基板进行处理。