[发明专利]清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质

说明书

本发明提供能够提高处理室内的清洁效率的技术，该技术通过将依次进行以下工序的周期实施预定次数来除去附着于处理室内的堆积物：(a)在停止处理室内的排气的状态下，直至处理室内的压力上升到第一压力带为止向处理室内供给清洁气体；(b)同时进行处理室内的排气和向处理室内的清洁气体的供给，将处理室内的压力维持在第一压力带；以及(c)在停止向处理室内的清洁气体的供给的状态下，直至处理室内的压力成为比第一压力带低的第二压力为止，进行处理室内的排气。

技术领域

本公开涉及清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质。

背景技术

作为半导体装置的制造工序的一个工序，有时进行向处理基板的处理室内供给清洁气体，除去附着于处理室内的堆积物等的清洁工序(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015－26660号公报

发明内容

发明所要解决的课题

根据清洁气体供给时的处理室内的压力等不同，有时不能有效地将处理室内清洁。

本公开提供可以提高处理室内的清洁效率的技术。

用于解决课题的方案

根据本公开的一方案，提供一种技术，其通过将依次进行以下工序的周期实施预定次数来除去附着于处理室内的堆积物：(a)在停止上述处理室内的排气的状态下，直至上述处理室内的压力上升到第一压力带为止向上述处理室内供给清洁气体；(b)同时进行上述处理室内的排气和向上述处理室内的上述清洁气体的供给，将上述处理室内的压力维持在上述第一压力带；以及(c)在停止向上述处理室内的上述清洁气体的供给的状态下，直至上述处理室内的压力成为比上述第一压力带低的第二压力为止，进行上述处理室内的排气。

发明的效果

根据本公开，能够提高处理室内的清洁效率。

附图说明

图1是适用于本公开的一实施方式的基板处理装置的立式处理炉的概略结构图，是用纵剖视图表示处理炉部分的图。

图2是适用于本公开的一实施方式的基板处理装置的立式处理炉的概略结构图，是用图1的A－A线剖视图表示处理炉部分的图。

图3是适用于本公开的一实施方式的基板处理装置的控制器的概略结构图，是用块图表示控制器的控制系统的图。

图4是表示本公开的一实施方式的成膜处理中的气体供给的时机的图。

图5是表示本公开的一实施方式的清洁气体的流量与阀的开闭的关系下的处理室内的压力变化的图。

图6中，(a)是表示测定处理室201内的堆积物的除去量的炉口部附近的任意的三个区域(区域10、20、30)的图，(b)是表示利用三种不同的清洁方法(样品A、B、C)除去的区域10～30的堆积物的量的图。

图7是表示按照本实施方式的方法清洁处理室201内的情况下的优势的图。

图中，201—处理室，232a、232b、232e—气体供给管，231—排气管，244—APC阀。

具体实施方式

＜一实施方式＞

以下，使用图1～图3对本公开的一实施方式进行说明。

(1)基板处理装置的结构

如图1所示，处理炉202具有作为加热单元(加热机构)的加热器207。加热器207是圆筒形状，通过支撑于保持板而垂直安装。加热器207还作为利用热使气体活性化(激发)的活性化机构(激发部)发挥功能。