[发明专利]半导体元件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110230787.0 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113363237A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 范政祥 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有在不同位面的微图案的半导体元件结构及其制备方法，其是可避免所述多个微图案的塌陷并降低在所述多个微图案之间的寄生电容。该半导体元件结构具有一基底；一第一目标结构，设置在该基底上，其中该第一目标结构包括一第一部分、一第二部分以及一第三部分，该第一部分的一高度与该第二部分的一高度大于该第三部分的一高度；一第二目标结构，设置在该第一目标结构上，其中该第二目标结构包括一第四部分、一第五部分以及一第六部分；一低位面导电图案，位于该第一目标结构与该第二目标结构之间；以级一高位面导电图案，位于该第一目标结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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