[发明专利]半导体存储装置以及读出方法在审
| 申请号： | 202110216634.0 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113345503A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 白田理一郎;矢野胜 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/08;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;黄健 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够降低因大量W/E循环后的源极端效应引起的故障的半导体存储装置以及读出方法。NAND型快闪存储器的读出方法将连接于NAND串的各存储单元的多个字线划分为字线(WL0～WLi‑1)的群组1、字线(WLi～WLj)的群组2、…、字线(WLj+1～WLk‑1)的群组y、字线(WLk～WLn)的群组x，并预先设定与各群组对应的各读出电压(Vread1、Vread2、…、Vready、Vreadx)随着朝向位线侧而变大的关系，依据此设定来对选择字线施加读出电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 以及 读出 方法 | ||
【主权项】：
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