[发明专利]半导体存储装置以及读出方法

权利要求书

1.一种读出方法，其是与非型快闪存储器的读出方法，其特征在于，包括：

当对选择字线施加读出电压时，将所述读出电压设定为随着朝向位线侧而变大。

2.根据权利要求1所述的读出方法，其特征在于，包括：

将连接于与非串的各存储单元的多个字线划分为至少三个群组，并预先设定与各群组对应的各读出电压随着朝向位线侧而变大的关系，基于所述关系来决定所述读出电压。

3.根据权利要求1所述的读出方法，其特征在于，包括：

当对所述选择字线施加所述读出电压，对非选择字线施加读出通过电压时，将所述读出通过电压设定为随着所述选择字线朝向位线侧而变大。

4.根据权利要求3所述的读出方法，其特征在于，包括：

将连接于与非串的各存储单元的多个字线划分为至少两个群组，并对各群组预先设定与随着所述选择字线朝向位线侧而变大的所述读出通过电压的关系，基于所述关系来决定所述读出通过电压。

5.根据权利要求1所述的读出方法，其特征在于，包括：

当对所述选择字线施加所述读出电压，对非选择字线施加读出通过电压时，将所述读出通过电压设定为，对介于所述选择字线与源极线侧之间的非选择字线施加的读出通过电压比对介于所述选择字线与位线之间的非选择字线施加的读出通过电压大。

6.根据权利要求1所述的读出方法，其特征在于，包括：

将连接于与非串的各存储单元的多个字线划分为至少三个群组，并预先设定与各群组对应的各读出电压随着朝向位线侧而变大的第一关系，且将连接于与非串的各存储单元的多个字线划分为至少两个群组，对各群组预先设定与随着所述选择字线朝向位线侧而变大的读出通过电压的第二关系，当对所述选择字线施加所述读出电压，对非选择字线施加读出通过电压时，基于所述第一关系来决定所述读出电压，并基于所述第二关系来决定所述读出通过电压。

7.根据权利要求1所述的读出方法，其特征在于，包括：

将连接于与非串的各存储单元的多个字线划分为至少三个群组，并预先设定与各群组对应的各读出电压随着朝向位线侧而变大的关系，当对所述选择字线施加所述读出电压，对非选择字线施加读出通过电压时，基于所述关系来决定所述读出通过电压，所述读出通过电压被设定为，对介于所述选择字线与源极线之间的非选择字线施加的读出通过电压比对介于所述选择字线与位线之间的非选择字线施加的读出通过电压大。

8.根据权利要求3至5中任一项所述的读出方法，其特征在于，所述读出方法包括写入动作中的校验读出。

9.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：

与非型的存储单元阵列，形成有与非串；

读出部件，对选择字线施加读出电压，以对所述存储单元阵列的页面进行读出，；以及

设定部件，将所述读出电压设定为随着朝向位线侧而变大。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，所述设定部件将连接于与非串的各存储单元的多个字线划分为至少三个群组，并设定与各群组对应的各读出电压随着朝向位线侧而变大的关系，

所述读出部件基于由所述设定部件所设定的关系来对选择字线施加读出电压。

11.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，所述设定部件将连接于与非串的各存储单元的多个字线划分为至少两个群组，并对各群组设定与随着选择字线朝向位线侧而变大的读出通过电压的关系，

所述读出部件基于由所述设定部件所设定的关系来对非选择字线施加读出通过电压。

12.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，所述读出部件以对介于所述选择字线与源极线之间的非选择字线施加的读出通过电压比对介于所述选择字线与位线之间的非选择字线施加的读出通过电压大的方式，来对非选择字线施加读出通过电压。