[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110198991.9 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN113539807A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 詹易叡;潘冠廷;江国诚;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭示案提供一种半导体装置及其制造方法，其方法是通过在鳍片结构的顶部使用硬遮罩层以形成鳍顶遮罩层。鳍顶遮罩层在后续制程中可作为蚀刻停止层。使用鳍顶遮罩层可使保形介电层的厚度变薄，其中保形介电层在后续制程中，例如牺牲栅极电极层的蚀刻制程，可用来保护半导体鳍片。使用具有较薄厚度的保形介电层可使半导体鳍片间距缩短，尤其是在输入/输出装置中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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