[发明专利]一种半导体测试结构和测试方法在审
申请号: | 202110193604.2 | 申请日: | 2021-02-20 |
公开(公告)号: | CN112992864A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 肖华;朱正鹏 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/66 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张李静;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请实施例公开了一种半导体测试结构和测试方法,半导体测试结构包括:第一测试结构和第二测试结构;其中,所述第一测试结构包括第一有源区和位于所述第一有源区上的栅极结构;所述第一有源区的延伸方向不同与所述栅极结构的延伸方向不同;所述第二测试结构包括n个间隔排布的第二有源区和位于n个所述第二有源区上的栅极结构;n个所述第二有源区的延伸方向不同均与所述栅极结构的延伸方向不同,n为大于2的正整数;所述第一有源区沿所述第一测试结构的栅极结构的延伸方向的长度与所述第二有源区沿所述第二测试结构的栅极结构的延伸方向的长度不同。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 测试 结构 方法 | ||
【主权项】:
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