[发明专利]半导体结构和形成集成电路结构的方法在审
| 申请号： | 202110168041.1 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113053820A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;朱熙甯;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：具有前侧和背侧的衬底；从衬底突出并由隔离部件包围的有源区域；形成于衬底的前侧上并设置在有源区域上的栅极堆叠件；形成于有源区域上并由栅极堆叠件插入的第一源极/漏极(S/D)部件和第二源极/漏极(S/D)部件；设置在第一S/D部件的顶面上的前侧接触部件；设置在第二S/D部件的底面上并电连接到第二S/D部件的底面的背侧接触部件；以及设置在具有第一厚度的第一S/D部件的底面和具有第二厚度的栅极堆叠件的底面上的半导体层，该第二厚度大于第一厚度。本申请的实施例还涉及形成集成电路结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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