[发明专利]具有连接结构的半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110167991.2 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113284877A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 施信益 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一第一半导体结构以及一第一连接结构，该第一连接结构具有一第一连接隔离层、多个第一连接接触点以及多个第一支撑接触点，该第一连接隔离层位于该第一半导体结构上，该多个第一连接接触点位于该第一连接隔离层中，该多个第一支撑接触点位于该第一连接隔离层中。该第一连接隔离层的一上表面、该多个第一连接接触点的上表面以及该多个第一支撑接触点的上表面大致共面。该多个第一连接接触点的下表面接触该第一半导体结构的一上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 连接 结构 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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