[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202110136206.7 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN113130398A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 黄麟淯;游力蓁;张家豪;庄正吉;林佑明;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的形成方法，包括提供一结构，此结构包括一基底、一栅极结构、一栅极间隔物、一介电栅极帽盖、一源极/漏极部件、一接触蚀刻停止层覆盖栅极间隔物的侧壁以及源极/漏极部件的一顶面、以及一层间介电层。此方法还包括蚀刻一接触孔穿过层间介电层以及穿过位于源极/漏极部件上的接触蚀刻停止层的一部分，其中接触孔是露出覆盖栅极间隔物的侧壁的接触蚀刻停止层，且露出源极/漏极部件的一顶部。此方法包括在源极/漏极部件上形成一硅化物部件，以及在硅化物部件上选择性沉积一抑制件。除了在接触蚀刻停止层和硅化物部件相会的一转角区域以外，此抑制件未沉积于接触蚀刻停止层的表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
