[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括：

提供一结构，该结构包括：

一基底；

一栅极结构位于该基底之上；

一栅极间隔物位于该栅极结构的一侧壁上；

一介电栅极帽盖位于该栅极结构的一顶面的上方；

一源极/漏极部件位于该基底的上方且邻近该栅极结构；

一接触蚀刻停止层覆盖该栅极间隔物的该侧壁以及该源极/漏极部件的一顶面；以及

一层间介电层位于该介电栅极帽盖、该栅极间隔物、该接触蚀刻停止层以及该源极/漏极部件的上方；

蚀刻一接触孔穿过该层间介电层以及穿过位于该源极/漏极部件上的该接触蚀刻停止层的一部分，其中该接触孔露出覆盖该栅极间隔物的所述侧壁的该接触蚀刻停止层，且露出该源极/漏极部件的一顶部；

在该源极/漏极部件的该顶部上形成一硅化物部件；以及

在该硅化物部件上选择性的沉积一抑制件，其中除了在该接触蚀刻停止层和该硅化物部件相会的一转角区域以外，该抑制件未沉积于该接触蚀刻停止层的表面上。