[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110120471.6 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN113192888A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 姚茜甯;杨柏峰;杨世海;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构包括：半导体层的堆叠件，设置在衬底上方；金属栅极堆叠件，具有设置在半导体层的堆叠件上方的顶部部分和与半导体层的堆叠件交错的底部部分；内部间隔件，设置在金属栅极堆叠件的底部部分的侧壁上；气隙，被包围在内部间隔件层中；以及外延源极/漏极(S/D)部件，设置在内部间隔件层上方并与金属栅极堆叠件相邻。本申请的实施例还提供了半导体结构的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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