[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110093859.1 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN114823899A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 徐进;高飞;程东向 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部结构，所述鳍部结构沿第一方向延伸；在每个鳍部结构上形成沿第一方向延伸的初始第一栅结构；刻蚀所述初始第一栅结构，使所述初始第一栅结构的顶部呈圆角；在刻蚀所述初始第一栅结构后，采用离子注入工艺对所述初始第一栅结构的顶部及与顶部连接的侧壁进行表面处理，形成第一栅结构，并且，在垂直于衬底表面的方向上，所述第一栅结构的线宽自所述第一栅结构的顶部至底部连续增大。以提高所形成的半导体器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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