[发明专利]发射辐射的半导体芯片、发射辐射的半导体元件和探照灯在审
| 申请号： | 202080018645.1 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN113544867A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | G.韦斯 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L27/15;H01L33/38;H01L33/08;H01L33/40;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘畅 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 给出一种发射辐射的半导体芯片(1)，其具有：‑包括辐射出射面(2)(2)的彼此分离的发射极区域(3)，‑外延的半导体层序列(4)，其包括有源区域(5)，其中每个有源区域(5)被构建为用于从相应的发射极区域(3)发射电磁辐射，以及‑与辐射出射面(2)对置的安装面(6)，其中安装面(6)包括多个第一可焊接接触面(7)和第二可焊接接触面(8)，其中‑每个有源区域(5)能够分别利用第一可焊接接触面(7)和第二可焊接接触面(8)来通电，‑第一可焊接接触面(7)布置在安装面的内部区域(9)中，以及‑第二可焊接接触面(8)布置在安装面的边缘区域(10)中。此外，给出一种具有这种半导体芯片(1)的发射辐射的半导体元件(20)和一种探照灯。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 辐射 半导体 芯片 元件 探照灯 | ||
【主权项】：
暂无信息
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