[发明专利]发射辐射的半导体芯片、发射辐射的半导体元件和探照灯

说明书

给出一种发射辐射的半导体芯片(1)，其具有：‑包括辐射出射面(2)(2)的彼此分离的发射极区域(3)，‑外延的半导体层序列(4)，其包括有源区域(5)，其中每个有源区域(5)被构建为用于从相应的发射极区域(3)发射电磁辐射，以及‑与辐射出射面(2)对置的安装面(6)，其中安装面(6)包括多个第一可焊接接触面(7)和第二可焊接接触面(8)，其中‑每个有源区域(5)能够分别利用第一可焊接接触面(7)和第二可焊接接触面(8)来通电，‑第一可焊接接触面(7)布置在安装面的内部区域(9)中，以及‑第二可焊接接触面(8)布置在安装面的边缘区域(10)中。此外，给出一种具有这种半导体芯片(1)的发射辐射的半导体元件(20)和一种探照灯。

给出一种发射辐射的半导体芯片。此外，给出一种发射辐射的半导体元件和一种探照灯。

待解决的技术问题在于，给出一种特别紧凑的发射辐射的半导体芯片。此外，应当给出一种紧凑的发射辐射的半导体元件和一种具有这种半导体元件的探照灯。

该技术问题通过具有权利要求1的特征的发射辐射的半导体芯片、具有权利要求18的特征的发射辐射的半导体元件以及具有权利要求19的特征的探照灯来解决。

发射辐射的半导体芯片、半导体元件和探照灯的有利实施方式是相应从属权利要求的内容。

根据至少一个实施方式，发射辐射的半导体芯片包括辐射出射面，该辐射出射面包括彼此分离的发射极区域。辐射出射面优选地具有主延伸平面。横向方向优选地定向为平行于辐射出射面，并且竖直方向优选地定向为垂直于横向方向。发射极区域优选地是辐射出射面的一部分并且在横向方向上延伸。此外，发射极区域优选地布置在共同的平面中。

根据一种实施方式，发射极区域以相同的方式构建。例如，发射极区域具有相同的表面积和/或相同的形状。

发射极区域优选地在横向方向上彼此间隔地布置。发射极区域优选以矩阵方式布置，即沿列和行地布置。优选地，发射极区域布置在第二规则网格的网格点处。第二规则网格可以优选地为多边形网格，例如六边形网格或正交网格。

发射极区域优选地分别具有三角形、四边形、六边形、圆形、蛋形或椭圆形的形状。每个发射极区域在横向方向上的最大尺寸优选地分别为至少15微米并且至多50微米，特别优选地在25微米与至多35微米之间。

根据至少一个实施方式，发射辐射的半导体芯片包括具有有源区域的外延的半导体层序列，其中每个有源区域被构建为用于从相应的发射极区域发射电磁辐射。

半导体层序列例如基于III-V族化合物半导体材料(III-V-Verbindungshalbleitermaterial)。III-V族化合物半导体材料例如是磷化物、砷化物和/或氮化物化合物半导体材料，即例如是In_xAl_yGa_1-x-yP、In_xAl_yGa_1-x-yAs和/或In_xAl_yGa_1-x-yN，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1。

半导体层序列可以具有掺杂剂和附加成分。然而，为了简单起见，仅说明了半导体层序列的晶格的基本成分，即Al、Ga、In、N、As或P，即使其可以部分替换和/或补充以少量的其他物质。

半导体层序列优选地包括第一导电类型的第一半导体层和另外的第二导电类型的第二半导体层。优选地，第一半导体层是p掺杂的并且因此被构建为p导电。优选地，第二半导体层是n掺杂的并且因此被构建为n导电。优选地，第一半导体层和第二半导体层在垂直方向上彼此堆叠。

优选地，有源区域布置在第一半导体层与第二半导体层之间。优选地，有源区域分别具有用于产生电磁辐射的pn结，例如双异质结构、单量子阱结构或多量子阱结构。

在有源区域运行中产生的电磁辐射可以是近紫外辐射、可见光和/或近红外辐射。可见光例如是蓝色、绿色、黄色或红色的光。