[发明专利]发射辐射的半导体芯片、发射辐射的半导体元件和探照灯

权利要求书

1.一种发射辐射的半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有：

-包括辐射出射面(2)的彼此分离的发射极区域(3)，

-外延的半导体层序列(4)，其包括有源区域(5)，其中每个有源区域(5)被构建为用于从相应的发射极区域(3)发射电磁辐射，以及

-与所述辐射出射面(2)对置的安装面(6)，其中所述安装面(6)包括多个第一可焊接接触面(7)和第二可焊接接触面(8)，

其中

-每个有源区域(5)能够分别利用第一可焊接接触面(7)和第二可焊接接触面(8)来通电，

-所述第一可焊接接触面(7)布置在安装面的内部区域(9)中，

-所述第二可焊接接触面(8)布置在安装面的边缘区域(10)中，

-导电连接层(14)布置在所述半导体层序列(4)上，

-所述导电连接层(14)与所述第二可焊接接触面(8)导电地连接，以及

-所述导电连接层(14)的厚度为至少5纳米并且至多20纳米。

2.根据上一项权利要求所述的发射辐射的半导体芯片，

其中，安装面的内部区域(9)没有第二可焊接接触面(8)。

3.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的半导体芯片，

其中，第一可焊接接触面(7)通过非发射区域(11)彼此分离。

4.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的半导体芯片，

其中，第二可焊接接触面(8)完全包围第一可焊接接触面(7)。

5.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的半导体芯片，

其中，第一可焊接接触面(7)沿列和行地布置。

6.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的半导体芯片，

其中，第一可焊接接触面(7)布置在第一规则网格的网格点处。

7.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的半导体芯片，

其中，直接相邻的第一可焊接接触面(7)具有至少1微米到至多20微米的距离。

8.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的半导体芯片，

其中，第一可焊接接触面(7)具有至少10微米到至多50微米的在横向方向上的最大尺寸。

9.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的半导体芯片，

其中，第一可焊接接触面(7)形成安装面的内部区域(9)的至少60％。

10.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的半导体芯片，其中

-每个有源区域(5)分别与第一导电层(12)导电地连接，以及

-每个有源区域(5)与第二导电层(13)导电地连接。

11.根据上一项权利要求所述的发射辐射的半导体芯片，

其中，导电连接层(14)布置在第二导电层(13)上。

12.根据上一项权利要求所述的发射辐射的半导体芯片，

其中，导电连接层(14)是导电反射镜层。

13.根据上述权利要求10至12中任一项所述的发射辐射的半导体芯片，其中

-从面向安装面(6)的一侧在半导体层序列(4)中布置有凹部(15)，

-所述凹部(15)完全穿透有源区域(5)，以及

-第二导电层(13)布置在所述凹部(15)中。

14.根据上一项权利要求所述的发射辐射的半导体芯片，

其中，第一绝缘层(16)布置在第二导电层(13)与凹部的侧面(15a)之间。