[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 202023017828.8 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN213878092U | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 申乂苑;尹在璇;李昇埈;李钟旻 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11582;H01L27/1157;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括第一布线组，该第一布线组在衬底上包括多个第一水平布线。所述多个第一水平布线彼此平行地在第一方向上排列。所述多个第一水平布线中的每个在与第一方向交叉的第二方向上延伸。提供第二布线组，其在衬底上包括多个第二水平布线。所述多个第二水平布线彼此平行地在第一方向上排列。所述多个第二水平布线中的每个在第二方向上延伸。提供线识别部，其在第一布线组与第二布线组之间。线识别部被限定在重叠区域中，该重叠区域在所述多个第一水平布线之中最靠近该线识别部的一个第一水平布线与所述多个第二水平布线之中最靠近该线识别部的一个第二水平布线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
