[实用新型]半导体器件有效

专利信息
申请号: 202023017828.8 申请日: 2020-12-14
公开(公告)号: CN213878092U 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 申乂苑;尹在璇;李昇埈;李钟旻 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11556 分类号: H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11582;H01L27/1157;H01L23/544
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【说明书】:

一种半导体器件包括第一布线组,该第一布线组在衬底上包括多个第一水平布线。所述多个第一水平布线彼此平行地在第一方向上排列。所述多个第一水平布线中的每个在与第一方向交叉的第二方向上延伸。提供第二布线组,其在衬底上包括多个第二水平布线。所述多个第二水平布线彼此平行地在第一方向上排列。所述多个第二水平布线中的每个在第二方向上延伸。提供线识别部,其在第一布线组与第二布线组之间。线识别部被限定在重叠区域中,该重叠区域在所述多个第一水平布线之中最靠近该线识别部的一个第一水平布线与所述多个第二水平布线之中最靠近该线识别部的一个第二水平布线之间。

技术领域

实用新型的构思涉及包括线识别部的半导体器件。

背景技术

随着半导体器件被高度集成,彼此平行的多个布线在衬底上被提供在同一高度处。由于布线数量的增加,检查选自所述多个布线之中的一个布线的位置越来越困难。例如,准确地识别选自彼此平行的多个位线之中的一个位线的位置的操作对应于非常困难的操作。

实用新型内容

本公开的示例性实施方式提供了使彼此平行的多个布线中的每个的位置能够被容易地识别的半导体器件。

根据本公开的实施方式的一种半导体器件可以包括堆叠结构,该堆叠结构在衬底上包括多个绝缘层和多个电极层。可以提供延伸穿过堆叠结构的多个沟道结构。可以提供第一布线组,其在堆叠结构上包括多个第一水平布线。所述多个第一水平布线可以彼此平行地在第一方向上排列。所述多个第一水平布线中的每个可以在与第一方向交叉的第二方向上延伸。所述多个第一水平布线中的每个可以连接到所述多个沟道结构中的对应一个。可以提供第二布线组,其在堆叠结构上包括多个第二水平布线。所述多个第二水平布线可以彼此平行地在第一方向上排列。所述多个第二水平布线中的每个可以在第二方向上延伸。所述多个第二水平布线中的每个可以连接到所述多个沟道结构中的对应一个。可以提供第一线识别部,其在第一布线组与第二布线组之间。所述多个绝缘层和所述多个电极层可以在与第一方向和第二方向交叉的第三方向上交替地堆叠。所述多个沟道结构中的每个可以在第三方向上延伸。

根据本公开的实施方式的一种半导体器件可以包括第一布线组,该第一布线组包括在衬底上的多个第一水平布线。所述多个第一水平布线可以彼此平行地在第一方向上排列。所述多个第一水平布线中的每个可以在与第一方向交叉的第二方向上延伸。可以提供第二布线组,其在衬底上包括多个第二水平布线。所述多个第二水平布线可以彼此平行地在第一方向上排列。所述多个第二水平布线中的每个可以在第二方向上延伸。可以提供线识别部,其在第一布线组与第二布线组之间。线识别部可以被限定在重叠区域中,该重叠区域在所述多个第一水平布线之中最靠近该线识别部的一个第一水平布线与所述多个第二水平布线之中最靠近该线识别部的一个第二水平布线之间。

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