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[发明专利]半导体器件-CN202110143111.8在审
发明人： 申乂苑;尹在璇;李昇埈;李钟旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：一种半导体器件包括设置在衬底上的堆叠结构。该堆叠结构包括在与第一方向和第二方向交叉的第三方向上交替堆叠的多个绝缘层和多个电极层。多个沟道结构在第三方向上延伸穿过堆叠结构。第一布线组包括设置在堆叠结构上的多个第一水平布线，所述多个第一水平布线在第一方向上排列并在第二方向上延伸。第二布线组包括设置在堆叠结构上的多个第二水平布线，所述多个第二水平布线在第一方向上排列并在第二方向上延伸。所述多个第一水平布线和所述多个第二水平布线中的每个连接到所述多个沟道结构中的对应一个。第一线识别部设置在第一布线组与第二布线组之间。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN202023017828.8有效
发明人： 申乂苑;尹在璇;李昇埈;李钟旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一布线组，该第一布线组在衬底上包括多个第一水平布线。所述多个第一水平布线彼此平行地在第一方向上排列。所述多个第一水平布线中的每个在与第一方向交叉的第二方向上延伸。提供第二布线组，其在衬底上包括多个第二水平布线。所述多个第二水平布线彼此平行地在第一方向上排列。所述多个第二水平布线中的每个在第二方向上延伸。提供线识别部，其在第一布线组与第二布线组之间。线识别部被限定在重叠区域中，该重叠区域在所述多个第一水平布线之中最靠近该线识别部的一个第一水平布线与所述多个第二水平布线之中最靠近该线识别部的一个第二水平布线之间。
半导体器件