[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

堆叠结构，在衬底上包括多个绝缘层和多个电极层；

多个沟道结构，延伸穿过所述堆叠结构；

第一布线组，在所述堆叠结构上包括多个第一水平布线，所述多个第一水平布线彼此平行地在第一方向上排列，所述多个第一水平布线中的每个在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，所述多个第一水平布线中的每个连接到所述多个沟道结构中的对应一个；

第二布线组，在所述堆叠结构上包括多个第二水平布线，所述多个第二水平布线彼此平行地在所述第一方向上排列，所述多个第二水平布线中的每个在所述第二方向上延伸，所述多个第二水平布线中的每个连接到所述多个沟道结构中的对应一个；以及

第一线识别部，在所述第一布线组与所述第二布线组之间，

其中，

所述多个绝缘层和所述多个电极层在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上交替地堆叠，以及

所述多个沟道结构中的每个在所述第三方向上延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一线识别部具有与所述多个第一水平布线和所述多个第二水平布线中的每个的水平宽度不同的水平宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一线识别部具有是所述多个第一水平布线和所述多个第二水平布线中的每个的水平宽度的2至20倍的水平宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一线识别部包括与所述多个第一水平布线和所述多个第二水平布线中的每个的材料相同的材料。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一线识别部与所述多个沟道结构绝缘。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一线识别部被限定在第一重叠区域中并且不突出到所述第一重叠区域之外，所述第一重叠区域在所述多个第一水平布线之中最靠近所述第一线识别部的一个第一水平布线与所述多个第二水平布线之中最靠近所述第一线识别部的一个第二水平布线之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括与所述第一布线组和所述第二布线组相邻的页缓冲器，

其中，

所述多个第一水平布线和所述多个第二水平布线连接到所述页缓冲器，以及

所述第一线识别部不连接到所述页缓冲器。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：

下水平布线，在所述衬底与所述堆叠结构之间；以及

至少一个虚设接触插塞，设置在所述第一线识别部与所述下水平布线之间以穿过所述堆叠结构，

其中所述第一线识别部经由所述至少一个虚设接触插塞连接到所述下水平布线。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：

第三布线组，在所述衬底上包括多个第三水平布线，所述多个第三水平布线彼此平行地在所述第二方向上排列，所述多个第三水平布线中的每个在所述第一方向上延伸，所述多个第三水平布线中的每个连接到所述多个电极层中的对应一个；以及

第四布线组，在所述衬底上包括多个第四水平布线，

其中所述多个第四水平布线彼此平行地在所述第二方向上排列，所述多个第四水平布线中的每个在所述第一方向上延伸，所述多个第四水平布线中的每个连接到所述多个电极层中的对应一个。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括与所述第三布线组和所述第四布线组相邻的行解码器，

其中所述多个第三水平布线和所述多个第四水平布线连接到所述行解码器。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括在所述第三布线组与所述第四布线组之间的第二线识别部。