[实用新型]具有超结结构的半导体器件有效

专利信息
申请号: 202022566992.8 申请日: 2020-11-09
公开(公告)号: CN213692013U 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 蒋高喜;肖步文 申请(专利权)人: 无锡鑫泽半导体科技有限公司
主分类号: H01L23/32 分类号: H01L23/32;H01L29/06
代理公司: 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 代理人: 金亚丁
地址: 214000 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了具有超结结构的半导体器件,涉及到半导体器件领域,包括半导体器件,所述半导体器件的上表面设置有超结结构,所述超结结构的底部设置有导电片,所述半导体器件由第一漂移层和第二漂移层组成,所述第一漂移层位于有导电片,所述半导体器件由第一漂移层和的上方,所述第一漂移层的上表面两侧均开设有插槽。本实用新型通过在半导体器件上设置有插槽,插槽内的限位块与复位弹簧配合能够将超结结构上的插板和卡块限位固定,进而将超结结构限位固定,同时使得超结结构便于拆卸更换,提高了半导体器件的工作效率,超结结构上的导电片在压紧弹簧的作用下与超结结构紧密贴合,对超结结构的安装起到了稳定的作用。
搜索关键词: 具有 结构 半导体器件
【主权项】:
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