[实用新型]具有超结结构的半导体器件有效

专利信息
申请号: 202022566992.8 申请日: 2020-11-09
公开(公告)号: CN213692013U 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 蒋高喜;肖步文 申请(专利权)人: 无锡鑫泽半导体科技有限公司
主分类号: H01L23/32 分类号: H01L23/32;H01L29/06
代理公司: 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 代理人: 金亚丁
地址: 214000 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 具有 结构 半导体器件
【说明书】:

本实用新型公开了具有超结结构的半导体器件,涉及到半导体器件领域,包括半导体器件,所述半导体器件的上表面设置有超结结构,所述超结结构的底部设置有导电片,所述半导体器件由第一漂移层和第二漂移层组成,所述第一漂移层位于有导电片,所述半导体器件由第一漂移层和的上方,所述第一漂移层的上表面两侧均开设有插槽。本实用新型通过在半导体器件上设置有插槽,插槽内的限位块与复位弹簧配合能够将超结结构上的插板和卡块限位固定,进而将超结结构限位固定,同时使得超结结构便于拆卸更换,提高了半导体器件的工作效率,超结结构上的导电片在压紧弹簧的作用下与超结结构紧密贴合,对超结结构的安装起到了稳定的作用。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件领域,特别涉及具有超结结构的半导体器件。

背景技术

传统纵向高压功率器件用低掺杂的外延漂移层作电压支持层,其导通电阻主要就是漂移层电阻。漂移层的耐压能力由其厚度和掺杂浓度决定。所以,为了提高击穿电压,必须同时增加漂移层厚度和降低其掺杂浓度。这就使得漂移层的电阻不断增加,在导通状态时(尤其是高压时),漂移层电阻占导通电阻的绝大部分。

纵向超结半导体器件是一种具有金属氧化物半导体器件的绝缘栅结构优点同时具有高电流密度低导通电阻优点的新型器件,它是一种能用于有效地降低传统纵向高压功率器件的导电损耗的新型器件。它是基于电荷平衡原理的电荷补偿型器件。现有的半导体器件上的超结结构都是固定焊接在半导体器件上的,当超结结构受损时不方便拆卸更换,影响半导体器件的使用效果以及工作效率。因此,发明具有超结结构的半导体器件来解决上述问题很有必要。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供具有超结结构的半导体器件,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:具有超结结构的半导体器件,包括半导体器件,所述半导体器件的上表面设置有超结结构,所述超结结构的底部设置有导电片,所述半导体器件由第一漂移层和第二漂移层组成,所述第一漂移层位于有导电片,所述半导体器件由第一漂移层和的上方,所述第一漂移层的上表面两侧均开设有插槽,所述插槽的开口一侧开设有滑槽,所述滑槽的内部设置有限位块,所述限位块的一端通过复位弹簧与滑槽的一端内壁连接,所述超结结构的下表面两端均固定连接有插板,所述插板的底端与插槽相适配,所述插板的底端一侧固定连接有卡块,所述卡块与限位块相对应。

优选的,所述超结结构设置有多个,多个超结结构呈等间距线性分布。

优选的,所述超结结构的下表面两端均固定连接有导向板,所述导向板位于两个插板相互靠近的一侧。

优选的,所述半导体器件的上表面两侧均开设有导向槽,所述导向槽与导向板相适配,所述导向板的底端插入导向槽的内部。

优选的,所述导电片的上表面与超结结构的下表面中部贴合连接,所述导电片的下表面通过多个呈等间距线性分布的压紧弹簧与半导体器件的上表面中部连接。

本实用新型的技术效果和优点:

本实用新型通过在半导体器件上设置有插槽,插槽内的限位块与复位弹簧配合能够将超结结构上的插板和卡块限位固定,进而将超结结构限位固定,同时使得超结结构便于拆卸更换,提高了半导体器件的工作效率,超结结构上的导电片在压紧弹簧的作用下与超结结构紧密贴合,对超结结构的安装起到了稳定的作用。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构俯视示意图。

图2为本实用新型的整体结构侧剖示意图。

图中:1、半导体器件;2、超结结构;3、导电片;4、第一漂移层;5、第二漂移层;6、插槽;7、滑槽;8、限位块;9、复位弹簧;10、插板;11、卡块;12、导向板;13、导向槽;14、压紧弹簧。

具体实施方式

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