[实用新型]具有超结结构的半导体器件有效
| 申请号： | 202022566992.8 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN213692013U | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 蒋高喜;肖步文 | 申请（专利权）人： | 无锡鑫泽半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/32 | 分类号： | H01L23/32;H01L29/06 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 金亚丁 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体器件 | ||
1.具有超结结构的半导体器件，包括半导体器件(1)，其特征在于：所述半导体器件(1)的上表面设置有超结结构(2)，所述超结结构(2)的底部设置有导电片(3)，所述半导体器件(1)由第一漂移层(4)和第二漂移层(5)组成，所述第一漂移层(4)位于有导电片(3)，所述半导体器件(1)由第一漂移层(4)和的上方，所述第一漂移层(4)的上表面两侧均开设有插槽(6)，所述插槽(6)的开口一侧开设有滑槽(7)，所述滑槽(7)的内部设置有限位块(8)，所述限位块(8)的一端通过复位弹簧(9)与滑槽(7)的一端内壁连接，所述超结结构(2)的下表面两端均固定连接有插板(10)，所述插板(10)的底端与插槽(6)相适配，所述插板(10)的底端一侧固定连接有卡块(11)，所述卡块(11)与限位块(8)相对应。
2.根据权利要求1所述的具有超结结构的半导体器件，其特征在于：所述超结结构(2)设置有多个，多个超结结构(2)呈等间距线性分布。
3.根据权利要求2所述的具有超结结构的半导体器件，其特征在于：所述超结结构(2)的下表面两端均固定连接有导向板(12)，所述导向板(12)位于两个插板(10)相互靠近的一侧。
4.根据权利要求3所述的具有超结结构的半导体器件，其特征在于：所述半导体器件(1)的上表面两侧均开设有导向槽(13)，所述导向槽(13)与导向板(12)相适配，所述导向板(12)的底端插入导向槽(13)的内部。
5.根据权利要求4所述的具有超结结构的半导体器件，其特征在于：所述导电片(3)的上表面与超结结构(2)的下表面中部贴合连接，所述导电片(3)的下表面通过多个呈等间距线性分布的压紧弹簧(14)与半导体器件(1)的上表面中部连接。
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