[实用新型]一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件有效
| 申请号： | 202021991680.5 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN212874493U | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈译;陈彬 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247 | 代理人： | 苏娟 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件，该器件包括：半导体衬底，在半导体衬底上的N型轻掺杂漂移区，在N型轻掺杂漂移区上的P型阱区和N型重掺杂缓冲区，在P型阱区上的N型轻掺杂区，在N型轻掺杂区上的N型重掺杂区，在远离栅结构的N型重掺杂区一侧的P型重掺杂区，该N型重掺杂区和P型重掺杂区彼此相连构成重掺杂发射区，在N型重掺杂缓冲区上的P型重掺杂集电极区，在N型轻掺杂漂移区上的栅结构区，该栅结构区为槽栅型结构，且采用多晶硅材料和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂发射区上的发射极，P型重掺杂集电极区上的集电极，栅结构区上的栅极。该器件通过平面型设计，结合槽栅型NMOS和PNP晶体管实现平面型的槽栅IGBT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 igbt 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
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