[实用新型]一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件有效
| 申请号： | 202021991680.5 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN212874493U | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈译;陈彬 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247 | 代理人： | 苏娟 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平面 igbt 半导体 功率 器件 | ||
1.一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件，其特征在于，包括：半导体衬底(1)，在半导体衬底(1)上表面的N型轻掺杂漂移区(2)，在N型轻掺杂漂移区(2)上的P型阱区(3)和N型重掺杂缓冲区(7)，在P型阱区(3)上的N型轻掺杂区(4)，在N型轻掺杂区(4)上的N型重掺杂区(6)，在远离栅结构区的绝缘区(9)的N型重掺杂区(6)一侧的P型重掺杂区(5)，该N型重掺杂区(6)和P型重掺杂区(5)彼此相连构成重掺杂发射区，在N型重掺杂缓冲区(7)上的P型重掺杂集电极区(8)，在N型轻掺杂漂移区(2)上的栅结构区的绝缘区(9)和栅结构区的栅结构(10)，该栅结构区采用槽栅型结构，N型/P型重掺杂发射区上的发射极，P型重掺杂集电极区(8)上的集电极，栅结构区的栅结构(10)上的栅极。
2.根据权利要求1所述的一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件，其特征在于，在N型重掺杂缓冲区(7)上的P型重掺杂集电极区(8)的面积比发射极区的P型重掺杂区(5)的面积大。
3.根据权利要求1所述的一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件，其特征在于，所述栅结构区的栅结构(10)采用多晶硅材料，栅结构区的绝缘区(9)采用高K绝缘材料，该高K绝缘材料是一种单质或者化合物或者几种相关薄膜叠加组成的材料。
4.根据权利要求1所述的一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件，其特征在于，N型/P型重掺杂发射区上的发射极、P型重掺杂集电极区(8)上的集电极和栅结构区的栅结构(10)上的栅极的金属电极采用金属铜材料或者铝材料。
5.根据权利要求1所述的一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件，其特征在于，远离P型阱区(3)的栅结构区的绝缘区(9)的绝缘介质层比靠近P型阱区(3)的绝缘介质层厚。
6.根据权利要求1所述的一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件，其特征在于，半导体衬底(1)材料为半导体SiC基或者GaN基材料。
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