[实用新型]一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件有效
| 申请号： | 202021803261.4 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN212648230U | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 陈宇;严丽红;辛藤 | 申请（专利权）人： | 张家港迪源电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/16;H01L23/00;H01L29/739;H01L23/02 |
| 代理公司： | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人： | 吴倩 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型适用于IGBT器件技术领域，提供了一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，包括底壳、导热硅胶、基板、模块、顶壳和承接壳，所述底壳的外侧面左右两端均焊接有固定板，所述底壳的内部下表面设置有稳定壳，且稳定壳的外侧面连接有橡胶环，所述底壳的底端设置有底端纵截面呈折线型结构的散热板，且散热板的内侧设置有导热硅胶，所述基板的左右两端均安装有螺钉，且基板的上表面安装有模块，所述底壳的上方设置有顶壳，且顶壳的顶端一体式连接有承接壳，并且顶壳的内部左右两端均固定安装有防尘网。该具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，避免安装壁面上的潮气影响底壳，方便拆装基板，提高安装结构稳定性，便于定位连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 碳化硅 性能 igbt 器件 | ||
【主权项】：
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