[实用新型]半导体集成器件结构有效
| 申请号： | 202020823429.1 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN211957634U | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 唐兴军;王亚 | 申请（专利权）人： | 苏州兴锝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L23/367;H01L23/467;H01L23/24 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 215010 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种半导体集成器件结构，包括四个二极管芯片、2个第一引线条和2个第二引线条，所述第一引线条的上端和下端分别为支撑部和交流引脚部，每个第一引线条的支撑部数目为2个，所述第一引线条的支撑部和交流引脚部之间具有一第一折弯部；所述支撑部与第一折弯部相背的一端具有一向上折弯的上侧板，所述焊接部与第二折弯部相背的一端具有一向下折弯的下侧板，所述二极管芯片位于上侧板和下侧板之间，所述环氧封装体的底部间隔地开设有若干个通气槽。本实用新型半导体集成器件结构有利于芯片热量的扩散，减少了热阻，改善了器件的散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成 器件 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州兴锝电子有限公司，未经苏州兴锝电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202020823429.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
