[实用新型]半导体集成器件结构有效
申请号: | 202020823429.1 | 申请日: | 2020-05-18 |
公开(公告)号: | CN211957634U | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 唐兴军;王亚 | 申请(专利权)人: | 苏州兴锝电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L23/367;H01L23/467;H01L23/24 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 王健 |
地址: | 215010 江苏省苏州市高*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成 器件 结构 | ||
本实用新型公开一种半导体集成器件结构,包括四个二极管芯片、2个第一引线条和2个第二引线条,所述第一引线条的上端和下端分别为支撑部和交流引脚部,每个第一引线条的支撑部数目为2个,所述第一引线条的支撑部和交流引脚部之间具有一第一折弯部;所述支撑部与第一折弯部相背的一端具有一向上折弯的上侧板,所述焊接部与第二折弯部相背的一端具有一向下折弯的下侧板,所述二极管芯片位于上侧板和下侧板之间,所述环氧封装体的底部间隔地开设有若干个通气槽。本实用新型半导体集成器件结构有利于芯片热量的扩散,减少了热阻,改善了器件的散热性能。
技术领域
本实用新型涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种半导体集成器件结构。
背景技术
整流桥堆器件集成器件结构是四个PN结二极管芯片中的二个芯片的P极和二个芯片的N极置于连接框架上,用二个形状相同的桥接片分别桥接二个极性不同的二极管芯片和输入端的连接框架,随着产品线路板小型化的发展趋势,要求贴片式桥堆整流器在满足小体积的前提下,同时实现大功率,现有的整流桥堆器件大多采用搭线式结构,其引脚采用“Z”字型引脚结构,但是这种结构存在散热热阻较大,从而影响器件的使用寿命。如何克服上述技术问题成为本领域技术人员努力的方向。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种半导体集成器件结构,该半导体集成器件结构有利于芯片热量的扩散,减少了热阻,改善了器件的散热性能。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种半导体集成器件结构,包括四个二极管芯片、2个第一引线条和2个第二引线条,所述第一引线条的上端和下端分别为支撑部和交流引脚部,每个第一引线条的支撑部数目为2个,所述第一引线条的支撑部和交流引脚部之间具有一第一折弯部,所述第二引线条的上端和下端分别为焊接部和直流引脚部,每个第二引线条的焊接部数目为2个,所述第二引线条的焊接部和直流引脚部之间具有一第二折弯部,一环氧封装体包覆于四个二极管芯片、第一引线条的支撑部和第二引线条的焊接部上,所述四个二极管芯片分别位于2个第一引线条的4个支撑部与2个第二引线条的4个焊接部之间;
所述支撑部与第一折弯部相背的一端具有一向上折弯的上侧板,所述焊接部与第二折弯部相背的一端具有一向下折弯的下侧板,所述二极管芯片位于上侧板和下侧板之间,所述环氧封装体的底部间隔地开设有若干个通气槽。
上述技术方案中进一步改进的方案如下:
1. 上述方案中,所述环氧封装体的通气槽的形状为半圆形通气槽。
由于上述技术方案的运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
本实用新型半导体集成器件结构,其第一引线条的支撑部与第一折弯部相背的一端具有一向上折弯的上侧板,所述第二引线条的焊接部与第二折弯部相背的一端具有一向下折弯的下侧板,所述二极管芯片位于上侧板和下侧板之间,有利于芯片热量的扩散,减少了热阻,改善了器件的散热性能;还有,其环氧封装体的底部间隔地开设有若干个通气槽,有利于改善半导体器件与PCB电路板之间的空气流通速率,从而更有利于热量的扩散。
附图说明
附图1为本实用新型半导体集成器件结构立体结构示意图;
附图2为本实用新型半导体集成器件内部侧视结构示意图。
以上附图中:1、二极管芯片;2、第一引线条;21、支撑部;22、第一引脚部;23、第一折弯部;3、第二引线条;31、焊接部;32、第二引脚部;33、第二折弯部;4、环氧封装体;5、上侧板;6、下侧板;7、通气槽。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州兴锝电子有限公司,未经苏州兴锝电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020823429.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。