[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 202011633590.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113130426A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 卢超群;黄立平 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L27/088;H01L27/092;H01L27/108 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置结构。所述半导体装置结构包含一硅基底，一晶体管，以及一互连结构。所述硅基底具有一硅表面。所述晶体管包含一栅极结构，一第一导通区，一第二导通区，以及位于所述硅表面之下的一通道。所述互连结构延伸到所述晶体管之外且耦接于所述晶体管的第一导通区。所述互连结构被设置在所述硅表面下方且通过一隔离区与所述硅基底隔离。相较于现有技术，因为本发明在所述硅表面下方引入了所述受到良好隔离的互连结构/导线，所以除了仅在所述硅表面之上使用所述互连结构之外，所述互连结构/导线还能够在所述硅基底内所述晶体管的底部连接所述晶体管，从而有效缩小所述晶体管的尺寸和改善所述晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
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