[发明专利]增强型AlGaN-GaN垂直超结HEMT及其制备方法有效
| 申请号： | 202011508741.2 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112614887B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;张淼;夏晓宇;夏凡;马建铖;李渊;谭秀洋;郭志友;丁霄;黄志辉;王鹏霖 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/36;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 510630 广东省广州市天*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及增强型AlGaN/GaN垂直超结HEMT及其制备方法，包括沿GaN基底表面边缘设置的P型GaN柱，设置于GaN基底表面中间区域的N型GaN梯度柱，其掺杂浓度自远离GaN基底的方向依次递减，设置于所述P型GaN柱表面的P型GaN电流阻挡层，依次设置于所述P型GaN电流阻挡层和所述N型GaN梯度柱表面的N型沟道层和N型势垒层，间隔分布的钝化层和P型GaN帽层，以及截面呈π型的栅极；其有效调解了导通电阻和击穿电压不可兼顾的限制，并提高了饱和电流，以及更有效的高温传导。该制备方法中的工艺步骤使用的均是目前比较成熟的技术，能够减少器件制造工艺过程中的损伤，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 algan gan 垂直 hemt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学，未经华南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011508741.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种建筑工程用支撑架
- 下一篇：摆动式弯管抛光拉丝机
- 同类专利
- 专利分类
